کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9699155 | 1461440 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of piezoresistance in GexSi1âx whiskers for sensor application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The piezoresistance of GexSi1âx (x=0.01-0.05) solid solution whiskers with impurity concentrations in the vicinity to metal-insulator transition at the temperature range 4.2-300 K was studied. A 'giant' piezoresistance was found at low temperatures (T<50 K) in the samples. The absolute magnitude of the gauge factor depends on the doping level and for the whiskers with Ï300K=0.018Ωcm it is around 3.4Ã104 at the temperature 4.2 K. The observed effect was used for design of high sensitive strain sensors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 193-196
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 193-196
نویسندگان
Anatolij Druzhinin, Igor Ostrovskii, Natalia Liakh,