کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9699178 | 1461440 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
3-W SiGe power HBTs for wireless applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
High-performance SiGe power HBTs are developed using 4-metal industry SiGe BiCMOS platform for 1.9 GHz portable wireless communications. The values of ballasting resistors are carefully selected to ensure thermally stable operation of these devices at high power levels. Three-Watt RF power with concurrent 67% PAE and power gain of 9.8 dB is achieved from 0.9 μm emitter finger power SiGe HBTs, resulting in a RF power density of 1.13 mW/μm2. The power performance of these devices under different bias conditions are also studied. These results show the great potential of SiGe HBTs for on-chip high-power amplifications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 323-326
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 323-326
نویسندگان
Ningyue Jiang, Zhenqiang Ma, Guogong Wang, Pingxi Ma, Marco Racanelli,