کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9699192 | 1461440 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phosphorus diffusion in Si-based resonant interband tunneling diodes and tri-state logic using vertically stacked diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Vertically integrated npnp Si-based RITD pairs are realized by stacking two RITDs with a connecting backwards diode between them. The I-V characteristics of the vertically integrated RITDs pairs demonstrate two sequential negative differential resistance (NDR) regions under forward biasing. Tri-state logic is demonstrated by using the vertically integrated RITDs as the drive and an off-chip resistor as the load.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 411-416
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 411-416
نویسندگان
Niu Jin, Sung-Yong Chung, Roux M. Heyns, Paul R. Berger, Ronghua Yu, Phillip E. Thompson, Sean L. Rommel,