کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
975718 1480175 2014 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron dynamics in nanoscale transistors by means of Wigner and Boltzmann approaches
ترجمه فارسی عنوان
پویایی الکترونی در ترانزیستورهای نانومقیاس با استفاده از روشهای وایگر و بولتزمن
کلمات کلیدی
حمل و نقل کامل کوانتومی، معادله واگن، معادله بولتزمن، روش مونت کارلو، دستگاههای مقیاس نانومتری، تک ماده
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه ریاضیات فیزیک ریاضی
چکیده انگلیسی


• We use the two-dimensional, time-dependent, Wigner MC method.
• We simulate the evolution of a Gaussian wave packet moving in a realistic channel potential.
• We include the kernel of a scattering center in the channel.
• We compare the Wigner results with the Boltzmann results.

We present a numerical study of the evolution of a wave packet in a nanoscale MOSFET featuring an ‘atomistic’ channel doping. Our two-dimensional Monte Carlo Wigner simulation results are compared against classical Boltzmann simulation results. We show that the quantum effects due to the presence of a scattering center are manifestly non-local affecting the wave propagation much farther than the geometric limit of the center. In particular the part of the channel close to the oxide interface remains blocked for transport, in contrast to the behavior predicted by classical Boltzmann propagation.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica A: Statistical Mechanics and its Applications - Volume 398, 15 March 2014, Pages 194–198
نویسندگان
, , , , , ,