کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9803402 | 1516466 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Convergent beam electron diffraction investigation of inversion domains in GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work we have used convergent beam electron diffraction (CBED) to determine the polar character of closed domains in GaN layers grown on various substrates. It was found that such domains on top of 6HSiC are non-polar prismatic stacking faults, whereas inversion domains may form directly on top of (0Â 0Â 0Â 1) sapphire or (1Â 1Â 1) silicon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 401, Issues 1â2, 29 September 2005, Pages 199-204
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 401, Issues 1â2, 29 September 2005, Pages 199-204
نویسندگان
P. Ruterana,