کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829326 | 1524488 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MOCVD growth of ZnO films on Si(1Â 1Â 1) substrate using a thin AlN buffer layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
High-quality ZnO films were grown on Si(1 1 1) substrate by MOCVD using a thin AlN buffer layer. A low-temperature ZnO buffer layer was further introduced to accommodate the lattice mismatch and thermal expansion coefficient mismatch between the ZnO epitaxial layer and the AlN buffer layer. In situ laser reflectance measurements show that two-dimensional growth has been obtained, and a smooth surface morphology is demonstrated by atomic force microscopy (AFM) measurements. X-ray diffraction (XRD) results show that the ZnO film is a single crystal. The FWHMs of (0 0 2) and (1 0 2) Ï-scans for the 2.1 μm thick layer are 410 and 1321 arcsec, respectively. Free excitonic emission can be observed at low temperature and becomes dominant in the photoluminescence spectra above 120 K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 284, Issues 3â4, 1 November 2005, Pages 459-463
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 284, Issues 3â4, 1 November 2005, Pages 459-463
نویسندگان
L. Wang, Y. Pu, Y.F. Chen, C.L. Mo, W.Q. Fang, C.B. Xiong, J.N. Dai, F.Y. Jiang,