کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829362 | 1524489 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of Na0.5Bi0.5TiO3 ferroelectric films prepared by chemical solution decomposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Na0.5Bi0.5TiO3 thin films have been grown on p-type Si(1Â 1Â 1) and Pt/Ti/SiO2/Si substrates by a method of chemical solution decomposition. The structure and microscopy were studied by X-ray diffraction and atomic force microscopy, respectively. The electrical measurements were conducted on metal-ferroelectric-semiconductor or metal-ferroelectric-metal capacitors. The films show low leakage current. They also exhibit good ferroelectric and dielectric properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 284, Issues 1â2, 15 October 2005, Pages 136-141
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 284, Issues 1â2, 15 October 2005, Pages 136-141
نویسندگان
C.H. Yang, Z. Wang, Q.X. Li, J.H. Wang, Y.G. Yang, S.L. Gu, D.M. Yang, J.R. Han,