کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829365 | 1524489 | 2005 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nucleation and growth mode of the molecular beam epitaxy of GaN on 4H-SiC exploiting real time spectroscopic ellipsometry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The heteroepitaxy of GaN directly grown directly on Si-face 4H-SiC(0Â 0Â 0Â 1) by molecular beam epitaxy is explored and characterized using in situ spectroscopic ellipsometry. Critical steps of the process, including SiC substrate cleaning, substrate termination through nitridation, GaN nucleation and growth, are monitored in real time. Some key relationships between growth mode, as observed by ellipsometry, and material properties are given.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 284, Issues 1â2, 15 October 2005, Pages 156-165
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 284, Issues 1â2, 15 October 2005, Pages 156-165
نویسندگان
Maria Losurdo, Giovanni Bruno, T.H. Kim, Soojeong Choi, April Brown, Akihiro Moto,