کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829610 | 1524495 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of the AlxGa1âxN/AIN buffer layer on the properties of GaN/Si(1Â 1Â 1) film grown by NH3-MBE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We describe the growth of GaN on Si(1Â 1Â 1) substrates with AlxGa1âxN/AlN buffer layer by ammonia gas source molecular beam epitaxy (NH3-GSMBE). The influence of the AlN and AlxGa1âxN buffer layer thickness and the Al composition on the crack density of GaN has been investigated. It is found that the optimum thickness is 120 and 250Â nm for AlN and AlxGa1âxN layers, respectively. The optimum Al composition is between 0.3
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 280, Issues 3â4, 1 July 2005, Pages 346-351
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 280, Issues 3â4, 1 July 2005, Pages 346-351
نویسندگان
N.H. Zhang, X.L. Wang, Y.P. Zeng, H.L. Xiao, J.X. Wang, H.X. Liu, J.M. Li,