کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829785 | 1524499 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
PL characteristics of InAs quantum dots with Sb irradiation in growth interruption
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigated photoluminescence (PL) characteristics of InAs quantum dots (QDs) with Sb irradiation in growth interruption. Various Sb-introduction procedures in the interface below and above QD were studied. It was found that the Sb irradiation in the interface between the QD and cover layer was effective to elongate an emission wavelength of QDs with high emission efficiency. Sb-irradiation for a short time just before the cover layer growth improved PL properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 51-56
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 51-56
نویسندگان
T. Matsuura, T. Miyamoto, M. Ohta, Y. Matsui, T. Furuhata, F. Koyama,