کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829838 | 1524499 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial lift-off of MBE grown II-VI heterostructures using a novel MgS release layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Epitaxial Lift-Off of ZnSe/ZnCdSe and MgS/ZnCdSe quantum well structures from their GaAs substrate has been achieved by using highly reactive MgS as the sacrificial layer. This technique has proved possible in II-VI semiconductor materials due to the huge contrast in the etch rates between the metastable MgS release layer and the II-VI quantum well materials. In this paper, we outline the epitaxial lift-off technique used and confirm the success of the new method using photoluminescence experiments taken before and after lift-off.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 325-328
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 325-328
نویسندگان
C. Bradford, A. Currran, A. Balocchi, B.C. Cavenett, K.A. Prior, R.J. Warburton,