کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829852 | 1524499 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and optical properties of GaN/AlN multiple quantum wells for intersubband applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
GaN/AlN multiple quantum well structures of 1, 5 and 20 periods were grown by molecular beam epitaxy (MBE). To investigate structural parameters, symmetrical scan (0 0 0 2) and reciprocal space mapping in the vicinity of the GaN (101¯5) plane were made by X-ray diffraction (XRD). The layer thickness, composition and relaxation were determined and gave good agreement with simulated results. The 20 period multiple quantum well (MQW) sample exhibited an intersubband resonance at 360 meV, which corresponds well to the structure data determined by XRD.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 397-401
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 397-401
نویسندگان
X.Y. Liu, J.F. Fälth, T.G. Andersson, P. Holmström, P. Jänes, U. Ekenberg, L. Thylén,