کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829862 | 1524499 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface kinetics of GaAs(0Â 0Â 1), InAs(0Â 0Â 1) and GaSb(0Â 0Â 1) during MBE growth studied by in situ surface X-ray diffraction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We compare the molecular beam epitaxy growth and recovery kinetics under layer-by-layer growth conditions on the (0Â 0Â 1) surfaces of GaAs, InAs and GaSb using in situ surface X-ray diffraction. Whereas the growth conditions can be adjusted to yield comparable deposition kinetics, we find distinct differences in the recovery behavior of the three surfaces. We conclude that the mesoscopic structure of the growth front that often determines device performance depends on the detailed kinetics on an atomic scale.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 449-457
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 449-457
نویسندگان
Wolfgang Braun, Vladimir M. Kaganer, Bernd Jenichen, Dillip K. Satapathy, Xiangxin Guo, Brad P. Tinkham, Klaus H. Ploog,