کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830085 | 1524503 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of N incorporation in InGaAs and GaAs epilayers on GaAs using solid source molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The indium and nitrogen incorporation in InGaAsN/InGaAs/GaAsN grown on GaAs substrates is investigated by means of photoluminescence (PL) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurements. The elemental profile and concentration collected from the two methods are then used as the simulation parameters to fit the X-ray diffractometry (XRD) measurements. The simulations indicate that the epitaxial parameters in our growth of InGaAsN/InGaAs/GaAsN epilayers are consistent throughout the three methods of analysis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 3â4, 1 March 2005, Pages 440-447
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 3â4, 1 March 2005, Pages 440-447
نویسندگان
W.K. Cheah, W.J. Fan, S.F. Yoon, T.K. Ng, W.K. Loke, D.H. Zhang, T. Mei, R. Liu, A.T.S. Wee,