کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830151 | 1524504 | 2005 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strained heteroepitaxy on nanomesas: a way toward perfect lateral organization of quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The work reported here focuses on the role of nanopatterning in strained heteroepitaxy. This study makes use of an atomistic description. The substrates considered here are quite regular arrays of nanomesas that can be got using stress selective etching of the surface of twist bonded samples (Surf. Sci. (2003) 211). How and why strained growth on such substrates significantly differs from growth on flat substrates is demonstrated. The considered systems are Ge/Si 0Â 0Â 1, 2Ã1 reconstructed nanomesa arrays. For a well-defined range of design parameters (mesa width, grooves depth and facets orientations), one gets one single Ge dot per Si plot. The influence of design parameters is emphasized.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1â2, 15 February 2005, Pages 305-316
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 275, Issues 1â2, 15 February 2005, Pages 305-316
نویسندگان
Maxime Bavencoffe, Eglantine Houdart, Catherine Priester,