کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830226 | 1524505 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of ZnO nanowires on a- and c-plane sapphire
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Epitaxial growth of ZnO nanowires on a- and c-plane sapphire Epitaxial growth of ZnO nanowires on a- and c-plane sapphire](/preview/png/9830226.png)
چکیده انگلیسی
Epitaxial ZnO nanowires were grown on a- and c-plane sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition without metal catalysts or templates. Nanowires with monodisperse diameters grow in dense arrays perpendicular to a-plane sapphire and with in-plane rotational alignment due to [0 0 0 1]ZnOâ¥[
112¯0]sapphire,
[112¯0]ZnO[0001]sapphire epitaxy. On c-plane sapphire, multiple possible epitaxial relations give a mixture of nanowire orientations. The majority of the nanowires grow in one of the three directions all at an angle of 51.8° off the substrate plane with [0 0 0 1]ZnOâ¥[
101¯4]sapphire,
[101¯0]ZnOâ¥[
12¯10]sapphire epitaxy. A small fraction of the nanowires grow perpendicular to the substrate with [0 0 0 1]ZnOâ¥[0 0 0 1]sapphire.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 274, Issues 3â4, 1 February 2005, Pages 407-411
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 274, Issues 3â4, 1 February 2005, Pages 407-411
نویسندگان
Jason B. Baxter, Eray S. Aydil,