کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9837308 | 1525273 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Positive temperature coefficient of resistivity of polyaniline films in the framework of phonon-assisted tunnelling model
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In the present paper it is shown that a change from semiconducting behaviour of conductivity to metallic behaviour observed in polyaniline (PANI) films [Long et al., Physica B 325 (2003) 208; 344 (2004) 82] and fibres [Adams et al., Synth. Met. 101 (1999) 685] at higher temperatures could be explained on the basis of phonon-assisted tunnelling model. A transition from negative temperature coefficient of resistivity (TCR) to positive TCR in the framework of this model occurs at the temperatures, at which the phonon emission dominates in the process of tunnelling.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 370, Issues 1â4, 15 December 2005, Pages 168-171
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 370, Issues 1â4, 15 December 2005, Pages 168-171
نویسندگان
P. Pipinys, A. Kiveris,