کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9838004 | 1525287 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal oxidation of indium and gallium sulphides
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Thermal oxidation of indium and gallium sulphides Thermal oxidation of indium and gallium sulphides](/preview/png/9838004.png)
چکیده انگلیسی
The paper illustrates thermal oxidation of InS and GaS. Both thermodynamic calculations and experimental results suggest the formation of a monophase oxide layer. Such oxidation processes are not typical for the other compounds in the III-VI system, where the native oxide film is another chalcogen compound with a formula like (A2IIIB3VI) enriched.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 355, Issues 1â4, 31 January 2005, Pages 365-369
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 355, Issues 1â4, 31 January 2005, Pages 365-369
نویسندگان
O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, P.V. Savchyn,