دانلود مقالات ISI درباره 81.07.st + ترجمه فارسی

3D Auger quantitative depth profiling of individual nanoscaled III-V heterostructures

Keywords: 81.05.Ea; 81.07.St; 68.65.Fg; 68.37.Xy; MOSFETs; metal oxide semiconductor field effect transistors; QWFETs; quantum well field effect transistors; QW; quantum well; RSFs; relative sensitivity factors; AES; Auger electron spectroscopy; SIMS; secondary ion

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

High-resolution X-ray diffraction analysis of InGaAs/AlAsSb coupled double quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1. Reciprocal space map; A1. Rocking curve; A1. X-ray diffraction; A3. Coupled double quantum wells (CDQWs); B2. InGaAs/AlAsSb; 61.05.−a; 61.72.uj; 81.15.Hi; 81.07.St;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of arsenic flux on the annealing properties of GaInNAs quantum wells for long wavelength laser applications around 1.6 μm

Keywords: 42.55.Px; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.07.St; 81.15.Hi; 81.40.EfA1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

GaInAsN growth studies for InP-based long-wavelength laser applications (TUA3-3)

Keywords: 61.05.Cp; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.07.St; 81.15.Hi; 85.60.Bt; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Argon plasma induced photoluminescence enhancement and quantum well intermixing of InGaAs/InGaAlAs multiple quantum wells

Keywords: 81.05.Ea; 81.07.St; 81.15.Hi; 82.33.Xj; 82.56.Lz; 85.40.Ry; Ar plasma; Photoluminescence enhancement; Quantum-well intermixing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Demonstration of a bias tunable quantum dots-in-a-well focal plane array

Keywords: 81.07.St; 81.07.Ta; 81.05.Ea; 81.07.−b; 85.60.Gz; 85.35.BeQuantum Dots; Quantum Wells; III-V Semiconductors; Photodetectors; Infrared Imaging; Multispectral Imaging

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Interface properties of (Ga,In)(N,As) and (Ga,In)(As,Sb) materials systems grown by molecular beam epitaxy

Keywords: 81.07.St; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.35.Ct; 68.35.Dv; 68.37.Lp; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

New TiO2 precursor for TiO2:poly(N-vinylcarbazole) (PVK) thin film: Synthesis and reactivity to hydrolysis of titanium tetrakis (9H-carbazole-9-yl-ethyl-oxy)

Keywords: 81.07.St; 68.37.Ps; 68.37.XyTransition metals; NMR, MAS-NMR and NQR; Sol–gel, aerogel and solution chemistry

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of MOVPE growth temperature on the structural and optical properties of InGaN MQW laser diodes

Keywords: 81.15.Gh; 81.07.St; 42.55.Px; 68.37.Ps; 78.60.Hk; 78.55.Cr; A1. Characterization; A1. Interfaces; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As-P exchange

Keywords: 68.65.Fg; 81.65.Rv; 78.67.De; 81.07.St; 81.15.Gh; Surface passivation; Quantum wells; MOVPE; GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Advanced space-based detector research at the Air Force Research Laboratory

Keywords: 52.70.Kz; 81.07.St; 85.60.GzSpace situational awareness; Space surveillance; Optical signal amplification; Frequency agile detection; Optical cooling; Single-pixel polarimeter

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and surface passivation of near-surface InGaAs quantum wells on GaAs (1 1 0)

Keywords: 81.65.Rv; 68.55.Jk; 68.65.Fg; 81.07.St; 81.15.GhA1. Surface passivation; A3. Near-surface quantum well; A3. MOVPE; B2. GaAs (1 1 0)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Super-uniform ZnO nanohelices synthesized via thermal evaporation

Keywords: 81.07.St; 81.05.Dz; 81.15.Gh; A. Helices; A. ZnO; B. Crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Analysis of inductively coupled argon plasma-enhanced quantum-well intermixing process for multiple bandgap implementation

Keywords: 52.40.Hf; 61.72.Ji; 78.55.Cr; 81.07.St; A1. Inductively coupled plasma; A3. Quantum wells; A3. Quantum-well intermixing; B3. Photonic-integrated circuits;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Self-alignment of self-assembled InAs quantum dots

Keywords: 78.66.Fd; 81.07.St; 81.15.HiA1. In-interruption; A1. Self-alignment; A3. MBE; A3. Quantum dot; B1. InAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of violet InGaN/AlInGaN light-emitting diodes grown by MOCVD

Keywords: 78.55.Cr; 81.07.St; 81.15.GhA3. Metal organic chemical vapor deposition; A3. Violet light-emitting diodes; B1. AlInGaN quaternary alloy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Accurate tuning of emission of GaInAsP/InP heterostructures in multiwafer gas-source molecular-beam epitaxy

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Hi; 81.07.St; A1. Multiwafer growth; A3. Gas source molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. InGaAsP/InP lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه