کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5395565 | 1505718 | 2016 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
3D Auger quantitative depth profiling of individual nanoscaled III-V heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
FIB81.07.St68.65.FgSTEM-HAADFSTEM-EDXMOCVD81.05.EaHAADF-STEMRBS68.37.Xy - 68.37.XYAes - AESRutherford Backscattering Spectrometry - اسپکترومتری بکار بردن رادرفوردFocused ion beam - باریکه یونی متمرکز یا بیمMetal organic chemical vapor deposition - رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلیSIMS - سیمزAuger electron spectroscopy - طیف سنج الکترونی آگرsecondary ion mass spectrometry - طیف سنجی جرم یونی ثانویه یا طیف نگاری جرم یونی ثانویهRelative sensitivity factors - عوامل حساس نسبیPhotoluminescence - فوتولومینسانس MOSFETs - ماسفتAuger depth profiling - پروفیل عمق حفاریQuantum well - چاه کوانتومی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The nanoscale chemical characterization of III-V heterostructures is performed using Auger depth profiling below decananometric spatial resolution. This technique is successfully applied to quantify the elemental composition of planar and patterned III-V heterostructures containing InGaAs quantum wells. Reliable indium quantification is achieved on planar structures for thicknesses down to 9ânm. Quantitative 3D compositional depth profiles are obtained on patterned structures, for trench widths down to 200ânm. The elemental distributions obtained in averaged and pointed mode are compared. For this last case, we show that Zalar rotation during sputtering is crucial for a reliable indium quantification. Results are confirmed by comparisons with secondary ion mass spectrometry, photoluminescence spectroscopy, transmission electron microscopy and electron dispersive X-ray spectroscopy. The Auger intrinsic spatial resolution is quantitatively measured using an original methodology based on the comparison with high angle annular dark field scanning transmission electron microscopy measurements at the nanometric scale.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 213, November 2016, Pages 1-10
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 213, November 2016, Pages 1-10
نویسندگان
W. Hourani, V. Gorbenko, J.-P. Barnes, C. Guedj, R. Cipro, J. Moeyaert, S. David, F. Bassani, T. Baron, E. Martinez,