کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1815441 | 1525244 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Argon plasma induced photoluminescence enhancement and quantum well intermixing of InGaAs/InGaAlAs multiple quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Argon plasma induced photoluminescence enhancement and quantum well intermixing of InGaAs/InGaAlAs multiple quantum wells Argon plasma induced photoluminescence enhancement and quantum well intermixing of InGaAs/InGaAlAs multiple quantum wells](/preview/png/1815441.png)
چکیده انگلیسی
Argon plasma bombardment followed by rapid thermal annealing for InGaAs/InGaAlAs multiple quantum-well structures grown by molecular beam epitaxy has been found to strongly enhance the intensity of room-temperature photoluminescence signal by more than an order of magnitude. The strength of the photoluminescence signal is found to be dependent on the plasma RF power and bombardment time. The resulting blue shift of the photoluminescence wavelength due to quantum well intermixing is found to be under 15Â nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 8â11, 1 May 2009, Pages 1226-1229
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 8â11, 1 May 2009, Pages 1226-1229
نویسندگان
C.L. Chiu, E.Y. Lin, K.Y. Chuang, David J.Y. Feng, T.S. Lay,