دانلود مقالات ISI درباره 81.65.c + ترجمه فارسی

A new laser direct etching method of indium tin oxide electrode for application to alternative current plasma display panel

Keywords: 42.55.X; 79.20.D; 81.65.C; Alternative current plasma display panel (AC PDP); Indium tin oxide (ITO); Laser patterning;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Controlling the micro/nanostructure of self-cleaning polymer coating

Keywords: 81.07.-b; 82.35.Np; 68.08.Bc; 68.47.Mn; 81.65.C; 81.05.Rm; Crystallization; Superhydrophobic; Polyethylene; Self-cleaning;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Prediction of surface microtrenching by using neural network

Keywords: 81.65.C; 52.75.R; 84.35.I; 07.05.TPlasma etching; Neural networks; Computer modeling and simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of annealing atmospheres on the void defects in large-diameter CZSi single crystals

Keywords: 61.72.Qg; 71.20.Mg; 81.65.C; CZSi; Void defects; Flow pattern defects (FPDs); Rapid thermal anneal (RTA);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

In situ reflectivity investigations of solid/liquid interface during laser backside etching

Keywords: 81.65.C; 81.05.K; 79.20.D; 61.80.B; 42.70.C; 42.55.L; Laser; Etching; Fused silica; Solid/liquid interface; Time-resolved reflectivity;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Laser etching of transparent materials at a backside surface adsorbed layer

Keywords: 81.65.C; 81.05.K; 79.20.D; 61.80.B; 42.70.C; 42.55.L; Excimer laser; Laser etching; Adsorbed layer; Fused silica; Quartz; Sapphire; Magnesium fluoride; MgF2;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Backside etching of fused silica with Nd:YAG laser

Keywords: 81.65.C; 81.05.J; 79.20.D; 61.80.B; 42.55.L; Laser; Fused silica; Gallium; Etching; Nd:YAG; Material processing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Structure and composition of chemically prepared and vacuum annealed InSb(0 0 1) surfaces

Keywords: 73.61.Ey; 81.65.Rv; 81.65; 81.65.C; 68.35.Bs; InSb; HCl-isopropanol treatment; Passivation; Low energy electron diffraction; X-ray photoelectron spectroscopy; Electron energy-loss spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of evolving surface morphology on yield during focused ion beam milling of carbon

Keywords: 81.65.C; 79.20.R; 34.50.D; Sputter yield; Surface morphology; Ripple morphology;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of surface treatment on sapphire substrates

Keywords: 81.65; 81.65.C; 82.80.C; 61.16.C; 61.10.N; A1. Substrate; A1. Surface; B1. Sapphire;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Well-dispersed gold nanowire suspension for assembly application

Keywords: 81.15.P; 52.25; 31.70.D; 81.65.C; Gold nanowires; Chemical pattern; Selective assembly; Electrostatic interactions;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The influence of the laser spot size and the pulse number on laser-induced backside wet etching

Keywords: 81.65.C; 81.05.K; 79.20.D; 71.80.B; 68.03.F; 47.55.D; 43.25.Y; 42.70.C; 42.55.L; Excimer laser; Laser etching; Pulse number; Laser spot size; Etch rate;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Precise etching of fused silica for micro-optical applications

Keywords: 81.65.C; 81.05.J; 79.20.D; 61.80.B; 42.62.C; 42.55.L; Excimer laser; Laser etching; Fused silica; Solid-liquid interface;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Fabrication of nano-pits and the measurement of their local surface potentials

Keywords: 81.65.C; Gold; Surface diffusion; Ion irradiation; Local barrier height; STM; Atomic step;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Adsorbed layer etching of fused silica by excimer laser with nanometer depth precision

Keywords: Excimer laser; Laser etching; LESAL; Fused silica; 81.65.C; 81.05.K; 79.20.D; 61.80.B; 42.70.C; 42.55.L;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and characterization of a new nonlinear optical material: Potassium p-nitrophenolate dihydrate (NO2-C6H4-OK·2H2O) with new bonding properties

Keywords: 82.80.C; 81.65.C; 81.70.P; 81.10.Dn; 42.70.Mp; A1. Microhardness; A1. Single crystal X-ray data; A1. Thermal properties; A2. Solution grown crystal; B2. Semiorganic NLO material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Studies on the growth and characterization of a NLO active sodium substituted lithium p-nitrophenolate single crystal

Keywords: 82.80.C; 81.65.C; 81.70.P; 81.10.Dn; 42.70.Mp; A1. Microhardness; A1. Thermal properties; A1. X-ray diffraction; A2. Solution growth; B2. NLO material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Ion beam etching of high resolution structures in Ta2O5 for grating-assisted directional coupler applications

Keywords: 77.55.+f; 79.20.R; 81.65.C; 85.40.H; 85.60; Tantalum oxide Ta2O5; Ion beam etching IBE; Grating-assisted directional coupler; High resolution;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of the nucleation layer morphology and epilayer structure on the resistivity of GaN films grown on c-plane sapphire by MOCVD

Keywords: 81.15.G; 71.55.E; 61.72.M; 81.65.C; 81.05.E; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Memory operation of Pt-SrBi2Ta2O9-Y2O3-Si field-effect transistor with damage-free selective dry etching process

Keywords: 85.50; 81.65.C; 52.75.R; 85.30.T; Ferroelectric; Ferroelectric memory; Field-effect transistor; SBT; RIE; Etch-stop;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Heavy ion induced damage in NaCl and KCl crystals

Keywords: 61.80; 61.72.J; 81.65.C; Heavy ions; Radiation damage; Color centers; Alkali halides; Chemical etching;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Ga assisted in situ etching of AlGaInAs and InGaAsP multi quantum well structures using tertiarybutylchloride

Keywords: 81.05.d; 81.65.c; 68.55; 81.15; A1. In situ etching; A3. MOVPE; B1. Aluminium; B1. Tertiarybutylchloride; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Precise etching of fused silica for refractive and diffractive micro-optical applications

Keywords: 81.65.C; 81.05.J; 79.20.D; 61.80.B; 42.62.C; 42.55.L; Excimer laser; Laser etching; Fused silica; Solid-liquid interface; Precision engineering;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه