دانلود مقالات ISI درباره A1 مدل های رشد + ترجمه فارسی

Variation of crystallization mechanisms in flash-lamp-irradiated amorphous silicon films

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Recrystallization; A1. Surface structure; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Decisive role of Au layer on the oriented growth of ZnO nanorod arrays via a simple aqueous solution method

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A2. Growth from solutions; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Low-temperature homoepitaxial growth of 4H–SiC with CH3Cl and SiCl4 precursors

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition; A3. Chloride vapor phase epitaxy; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Template-free synthesis of CuO–CeO2 nanowires by hydrothermal technology

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.−h; 81.07.−bA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Nanostructures; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Triangular defects in the low-temperature halo-carbon homoepitaxial growth of 4H-SiC

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition; A3. Hot wall epitaxy; A3. Chloride vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon carbide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Nonlinear model-based control of the Czochralski process II: Reconstruction of crystal radius and growth rate from the weighing signal

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Model-based feedback control; A1. State observer; A2. Czochralski method; A2. Liquid encapsulated Czochralski method; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Efficient solution of a batch crystallization model with fines dissolution

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Nucleation; A2. Growth from the solutions; A2. Seed crystals

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Nonlinear model-based control of the Czochralski process I: Motivation, modeling and feedback controller design

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Model-based feedback control; A2. Czochralski method; A2. Liquid encapsulated Czochralski method; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Effect of the MgO substrate on the growth of GaN

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Diffusion; A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B1. Oxides81.15.Hi; 81.05.Ea; 71.55.Eq; 78.66.Fd; 61.05.cp

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of GaN with warm ammonia by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials81.15.Hi; 81.15.Kk; 82.33.Ya; 81.05.Ea; 61.05.cp

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of pit-free GaP on Si by suppression of a surface reaction at an initial growth stage

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.−J; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Surfaces; A3. Migration enhanced epitaxy; A3 Molecular beam epitaxy; B2 Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

On a geometric model of crystal growth on a flat substrate

Keywords: A1 مدل های رشد; 07.05.Tp; 61.43.Bn; 68.35.Ct; 81.10.Aj; 81.10.DnA1. Computer simulation; A1. Crystalline aggregates; A1. Growth models

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Crystal thickness of melt-grown isotactic polybutene-1 tetragonal phase

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.05.Lg; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 81.10.−h; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A2. Growth from melt; B1. Polymers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Formation of gallium nitride particles during the two-stage chemical vapor process

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.05.cp; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Phosphors; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of SbxBi1−x gradient single crystals by the Czochralski method with Bi feed

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.72.Ww; 68.08.De; 68.35.Dv; 81.10.Fq; A1. Crystal structure; A1. Growth models; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Single-crystal growth; B1. Alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Eutectic growth from cellular to dendritic form in the undercooled Ag–Cu eutectic alloy melt

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.05.Bx; 81.10.Aj; 81.30.FbA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Microstructures; A1. Rapid solidification; A1. Undercooling; B1. Eutectic alloy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Suppression of domain formation in GaN layers grown on Ge(1 1 1)

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.05.cp; 68.55.ag; 81.05.Ea; 81.15.Aa; 81.15.HiA1. Crystal structure; A1. Growth models; A1. Single crystal growth; A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaN; B1. Germanium; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of single crystal with a gradient of concentration of impurities by the Czochralski method using additional liquid charging

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10; 78.40.−q; 78.30.−jA1. Doping; A1. Growth models; A2. Gradient freeze technique; A2. Growth from the melt; B1. Niobates; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Deduction of activation energy for diffusion by analyzing soft impingement in non-isothermal solid-state precipitation

Keywords: A1 مدل های رشد; 05.20.Dd; 61.66.Dk; 73.43.Cd; 81.30.Mh; 81.40.Cd; 82.56.LzA1. Diffusion; A1. Growth models; B1. Metals; B1. Alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Monte Carlo simulation of a cluster model for the chirality conversion of crystals with grinding

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Stirring; A2. Growth from solutions81.10.Aj; 81.10.Dn; 82.20.−w

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Three-dimensional six-fold symmetry ZnO sub-microstructures

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Dn; 61.06.Fn; A1. Crystal structure; A1. Growth models; A1. Low dimensional structures; A2. Growth from solution; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Morphology transition of one-dimensional ZnO grown by metal organic vapour phase epitaxy on (0 0 0 1)-ZnO substrate

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.15.Gh; 81.05.Dz; A1. Growth models; A1. One-dimensional ZnO; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Metal-organic chemical vapour deposition of (BInGa)P: Density-functional calculations to the mechanisms

Keywords: A1 مدل های رشد; 82.33.Ya; 82.30.−b; A1. Growth models; A2. Growth from vapor; A3. Metal-organic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Self-sacrificed template method for the synthesis of ZnO-tubular nanostructures:reaction kinetics and pathways

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Dn; 61.46.Km; A1. Nanowire; B1. Nanotube; A1. Growth models; B1 Zinc oxide; B2. Semiconductor;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Modeling studies of an impinging jet reactor design for hybrid physical-chemical vapor deposition of superconducting MgB2 films

Keywords: A1 مدل های رشد; 74.70.Ad; 74.78.−w; 81.15.Gh; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Borates; B2. Superconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improved synthesis of fine zinc borate particles using seed crystals

Keywords: A1 مدل های رشد; 82.80.−d; 82.40.−g; 87.15.A−A1. Crystallites; A1. Growth models; A2. Growth from solutions; A2. Seed crystals; B1. Borates; B1. Zinc compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Nucleation-growth process of scale electrodeposition – influence of the magnesium ions

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.−hA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Optical microscopy; A2. Electrochemical growth; B1. Calcium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of impingement and evaporation on drift-induced step instabilities on Si(1 1 1) vicinal face near transition temperature

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 05.70.Ln; 47.20.Hw; 68.35.FxA1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Morphological stability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

VO2 rods with a rectangular cross-section

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.−h; 91.60.Hg; 91.40.Ge; 68.55.A−A1. Nucleation; A1. Growth models; A2. Hydrothermal crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Modeling, optimization, and growth of GaN in a vertical halide vapor-phase epitaxy bulk reactor

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.10.−h; 81.15.Kk; 78.55.−mA1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of alternation of kinetic coefficients on step instabilities on Si(0 0 1) vicinal face

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 05.70.Ln; 47.20.Hw; 68.35.FxA1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Morphological stability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Cellular growth of Ge1-xSix single crystals

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Fq; 47.54+r; 81.10.Aj; 44.25.+f; A1. Directional solidification; A1. Growth models; A1. Fluid flows; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Direct crystal growth of isotactic polybutene-1 trigonal phase in the melt: In-situ observation

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.05.Lg; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 81.10.−hA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Optical microscopy; A2. Growth from melt; A2. Single-crystal growth; B1. Polymers

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Linear smoothing of GaAs(1 0 0) during epitaxial growth on rough substrates

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.−a; 81.10.−h; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 81.10.AjA1. Characterization; A1. Growth models; A1. Light-scattering tomography; A1. Surfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The role of solutal convection in protein crystal growth-A new dimensionless number to evaluate the effects of convection on protein crystal growth

Keywords: A1 مدل های رشد; 44.25.+f; 44.27.+g; 81.10.Dn; 87.14.Ee; 87.15.Nn; 87.15.Vv; A1. Biocrystallization; A1. Convection; A1. Growth models; A2. Growth from solution; B1. Lysozyme; B1. Proteins;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of amorphous buffer layers on the crystallinity of sputter-deposited undoped ZnO films

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.Ac; 68.55.Jk; 61.10.Nz; 82.80.PvA1. Nucleation; A1. Interface; A1. X-ray diffraction; A1. Growth models; B1. ZnO; B1. Glasses

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Defect formation and evolution in the step-flow growth of silicon carbide: A Monte Carlo study

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.72.Bb; 68.35.Ct; 81.10.Aj; 81.15.AaA1. Computer simulation; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Surface structures; A1. Atomic force microscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth mechanism of In(OH)3 nanocubes during hydrothermal reaction

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.43; 68.35.−pA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A2. Hydrothermal crystal growth; B1. Inorganic compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MOVPE growth of antimonide-containing alloy materials for long wavelength applications

Keywords: A1 مدل های رشد; 07.60.Pb; 81.10.Bk; 82.33.TaA1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Desorption; A1. Growth models; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Modeling of sucrose crystallization kinetics: The influence of glucose and fructose

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Biocrystallization; A1. Growth models; A1. Impurities; A1. Nucleation; B1. Sucrose

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Crystal hierarchically splitting in growth of BaWO4 in positive cat–anionic microemulsion

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.08.De; 81.05.Je; 81.07.−b; 81.10.DnA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A2. Growth from solutions; B1. Nanomaterials; B1. Tungstate

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Photoluminescence and transformation of dense Al2O3:Cr3+ condensates synthesized by laser-ablation route

Keywords: A1 مدل های رشد; 78.55.−m; 07.07.Df; 07.10.Lw; 67.70.+h; 61.14.−x; 42.62.−b; 71.55.Ak; 81.15.FgA1. Crystallites; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Photoluminescence; A1. Stresses; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Reactor-scale profile of group-V composition of InGaAsP studied by fluid dynamics simulation and in situ analysis of surface kinetics

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

MgO films grown on yttria-stabilized zirconia by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.15.Hi; 61.14.Hg; 61.10.Nz; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Growth models; B1. Oxides; A3. Molecular beam epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Possible burst-like facet growth mode at high temperatures

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.−h; 81.10.Aj; A1. Diffusion; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Supersaturation; A2. Single-crystal growth; B2. Superionic conductors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Delay-based control model for Czochralski growth of high-quality oxides

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 81.10.−h; 07.05.Dz; A1. Growth models; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth behavior of artificial hexagonal GdMnO3 thin films

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.10.Nz; 68.55.−a; 81.15.−z; A1. Crystal structure; A1. Growth models; A2. Laser Epitaxy; B1. Manganites; B2. Ferroelectric materials; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Laser ablation condensation of defective Si4+-doped chromium oxide nanocrystals

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.14.−x; 64.70.Dv; 64.60.Qb; 05.40.Jc; 61.46.Df; 81.05.−t; A1. Crystallites; A1. Defects; A1. Growth models; A2. Laser-heated pedestal growth; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of polymer admixtures on the growth habit of ionic crystals. Study on crystal growth kinetics of potassium dihydrogen phosphate in water/polyol mixtures

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth-retardation; A1. Growth models; A2. Growth from solution; A2. Single crystal growth; B1. Phosphates; B1. Polymer admixtures;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Chemical kinetics and mass transport effects in solution-based selective-area growth of ZnO nanorods

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.05.Dz; 81.07.−b; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 81.16.−cA1. Diffusion; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Nanostructures; A2. Growth from solutions; B1. Zinc compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه