دانلود مقالات ISI درباره A1 مدل های رشد + ترجمه فارسی

Geometric modeling of homoepitaxial CVD diamond growth: I. The {1 0 0}{1 1 1}{1 1 0}{1 1 3} system

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A2. Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Kinetics of dopant incorporation in GaAs grown by organometallic vapor-phase epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.72.Vv; 68.55.Ln; 71.55.EqA1. Diffusion; A1. Doping; A1. Growth models; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

TEM analysis of an interface layer formed by the anti-surfactant treatment on a GaN template

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.37.Lp; 68.55.Jk; 81.15.KkA1. Defects; A1. Growth models; A1. Transmission electron microscopy; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Directional role of weak magnetic field on the self-fabrication of ordered nickel chains

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.05.Bx; 81.16.Dn; 75.75.+a; 81.10.AjA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Magnetic fields; B2. Magnetic materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of high-quality and crack free AlN layers on sapphire substrate by multi-growth mode modification

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; B1. AlN; B1. Buffer layer; B1. Nitrides; B2. Organometallic vapor phase epitaxy.

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Stable vapor transportation of solid sources in MOVPE of III-V compound semiconductors

Keywords: A1 مدل های رشد; 72.80.E; 81.05.D; 81.15.G; A1. Characterization; A1. Growth models; A1. Vapor delivery; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Metalorganics; B1. Precursors; B1. Trimethylindium; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reactor-scale uniformity of selective-area performance in InGaAsP system

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Application of flow-kinetics model to the PVT growth of SiC crystals

Keywords: A1 مدل های رشد; 47.61.Jd; 51.10.+y; 81.10.Aj; 81.10.BkA1. Fluid flows; A1. Growth models; A2. Growth from vapor; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A cellular automata algorithm for step dynamics in continuum modeling of epitaxial growth

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Morphological instability; A3. Ehrlich-Schwoebel effect; A3. Epitaxial growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth kinetics by means of phase-field methods in applied crystal growth

Keywords: A1 مدل های رشد; 67.70.Dv; 81.10.Aj; 44.25.+fA1. Directional solidification; A1. Fluid flows; A1. Growth models; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Motion of step pairs during drift-induced step bunching on a Si(0 0 1) vicinal face

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 05.70.Ln; 47.20.Hw; 68.35.FxA1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Morphological stability

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

High-quality heteroepitaxial Ge growth on nano-patterned Si templates using diblock copolymer patterning

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.Ac; 81.15.Hi; 81.16.RfA1. Crystal morphology; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Chemical solution deposition and transport properties of Ag-doped manganite films

Keywords: A1 مدل های رشد; 71.30.+h; 75.47.Gk; 81.15.LmA3. Chemical solution deposition; B1. Manganites; B2. Colossal magnetoresistance; A1. Growth models; A2. Seed layer; A1. Interfaces

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Condensation, crystallization and coalescence of amorphous Al2O3 nanoparticles

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.14.−x; 64.70.Dv; 05.40.Jc; 61.46.Df; 81.40.GhA1. Crystallites; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Planar defects; A1. Solidification; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of 2D nuclei-A Monte Carlo study of existence of various habits

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.50.Ah; 81.10.Aj; A1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Diffusion; A1. Growth models; A1. Nucleation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Model study of local enhancement of chemical potential gradient after facet formation on growing spherical Cu2−δSe crystals

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.−h; 81.10.Aj; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Supersaturation; A2. Single crystal growth; B2. Superionic conductors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Development of a model for on-line control of crystal growth by the AHP method

Keywords: A1 مدل های رشد; 02.60.Pn; 07.05.Dz; 81.10.AjA1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Heat transfer; A1. Radiation; A2. Growth from melt; B2. Dielectric materials; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Modeling studies of the chemical vapor deposition of boron films from B2H6

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Borates; B2. Superconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A fragmentation model for crystal attrition

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.AjA1. Attrition; A1. Computer simulations; A1. Continuous distribution kinetics; A1. Crystal growth and dissolution; A1. Crystal size distributions; A1. Growth models; A1. Moment and numerical solutions; A1. Population balance equations; A2. Crystal

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

On the growth of natural octahedral diamond upon a fibrous core

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.−h; A1. Diamond morphology; A1. Growth models; A2. Fibrous diamond growth; B1. Natural diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Columnar growth of ALN by r.f. magnetron sputtering: Role of the {1 0 1¯ 3} planes

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.A; 81.15.C; 73.61.JA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Nitrides; B2. Piezoelectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

An interpretation for high growth rates in electroepitaxial growth of GaAs under magnetic field

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.−h; 66.30.Qa; 83.60.Np; 47.35.Tv; 82.60.−s; A1. Growth models; A1. Magnetic field; A3. Electroepitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Reduction of defects propagating into 3C-SiC homoepilayers by reactive ion etching of 3C-SiC heteroepilayer substrates

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.72.Mm; 61.72.Qq; 81.05.Je; 81.10.Aj; 81.15.GhAl. Crystal morphology; A1. Defects; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Oscillatory thermocapillary convection in a liquid bridge: Part 1—1g Experiments

Keywords: A1 مدل های رشد; 47.20.Ft; 47.80.Jk; 81.10.MxA1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Heat transfer; A1. Surfaces; A2. Floating zone technique; A2. Microgravity conditions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of equiaxed dendritic crystals settling in an undercooled melt, Part 2: Internal solid fraction

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.70.+w; 81.30.FbA1. Convection; A1. Dendrites; A1. Growth models; B1. Succinonitrile

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Zno-based thin films synthesized by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.72.Vv; 68.55.Jk; 72.80.Ey; 73.61.Ga; 78.66.Hf; 81.05.Dz; 81.15.GhA1. Characterization; A1. Crystal structure; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Dynamical model of brushite precipitation

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Computer simulation; A1. Dynamical model; A1. Growth models; A1. Optimization; A1. Precipitation; A2. Growth from solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Simulation of growth dynamics for nearly epitaxial films

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 81.10.Bk; 81.15.Aa; 81.15.Gh; 68.55.−aA1. Epitaxial film; A1. Growth models; A1. Growth dynamics; A1. Morphological stability; A1. Roughening; A1. Simulation; A3. ALD; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Atomic layer deposition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Static relaxation of bcc crystal fragments using a Lennard–Jones potential: Transition to hexagonal or cubic close packing

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 64.60.Qb; 61.46.Bc; 81.30.−t; 61.72.NnA1. Computersimulation; A1. Crystal structure; A1. Growth models

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Laser ablation condensation and phase change of Ni1−xCoxO nanoparticles

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.14.−x; 64.70.Dv; 64.60.Qb; 05.40.Jc; 61.46.Df; 81.05.−tA1. Crystallites; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Nucleation; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of equiaxed dendritic crystals settling in an undercooled melt, Part 1: Tip kinetics

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.70.+w; 81.30.FbA1. Convection; A1. Dendrites; A1. Growth models; B1. Succinonitrile

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of the source temperature on the formation of a metastable HgI2 phase and consequences for the nucleation and growth behaviors in PVT ampoules

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Bk; 64.60.My; 64.60.Qb; A1. Growth models; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A1. Phase equilibria; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting mercury compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

In situ observations in the melt growth of Pb5Ge3O11 crystals

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10; 61.72; A1. Defects; A1. Mass transfer; A1. Growth models;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Control of abnormal edge growth in selective area MOVPE of InP

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.15.Gh; 82.33.YaA1. Abnormal growth; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. InP

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Two-dimensional phase-field simulation of self-assembled quantum dot formation

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.07.Ta; 81.15.Aa; 81.16.DnA1. Computer simulation; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Nanostructures; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Two-dimensional mass diffusion-induced bulk flow in a boundary layer of crystal growth

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 47.15.CbA1. Boundary layer; A1. Growth models; A1. Mass convective flow

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth mechanism of EuBa2Cu3Ox single-crystalline whiskers from Ca and Te doped precursors

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 74.72.Bk; 68.70.+w; A1. Growth models; A2. Whisker growth; B2. Superconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth process and nanostructure of crystalline GaAs on Si(1 1 0) surface prepared by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Nanostructure; A3. Atomic layer epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth model for nanomallets of zinc oxide from a catalyst-free combust-oxidised process

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A1. Nucleation planes; A1. Zinc oxide nanomallets; A2. Catalyst-free combust-oxidised process; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A distribution kinetics model of self-assembly: Effects of coalescence and solvent evaporation

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; A1. Coalescence; A1. Computer simulations; A1. Crystal growth and dissolution; A1. Crystal size distributions; A1. Drying mediated synthesis; A1. Growth models; A1. Kinetics; A1. Moment and numerical solutions; A1. Phase transformation; A1. Popu

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Spontaneous growth of indium nanostructures

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.−a; 81.07.−b; 81.15.−z; 81.16.Dn; A1. Growth models; A1. Low-dimensional alloy surface; A1. Nanostructures; A1. Non-wetting; A3. DC magnetron sputtering; B1. Indium hillock;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Reductions of twin and protrusion in 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(1 0 0)

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.72.Mm; 61.14.Hg; 81.15.Gh; 81.10.Aj; 81.05.Je; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Planar defects; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Numerical optimization of an optical showerhead reactor design for organometallic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.−h; 81.15.GhA1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A3. Organometallic vapor phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth mode transfer of self-assembled CdSe quantum dots grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.16.Ch; 68.55.Jk; 78.55.−m; 81.05.Dz; 81.15.Hi; A1. Atomic force microscopy; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum dots; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Nucleation, growth and ageing scenarios in closed systems I: A unified mathematical framework for precipitation, condensation and crystallization

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.Ac; 81.10.Aj; 81.10.Bk; 81.10.Dn; 81.10.Fq; 92.40.Ea; 94.20.QqA1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Nucleation; A2. Growth from melt; A2. Growth from solutions; A2. Growth from vapor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Pattern size effect on source supply process for sub-micrometer scale selective area growth by organometallic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.05.Ea; 81.10.Aj; 81.10.Bk; 81.15.GhA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Epitaxial growth of 4H–SiC at low temperatures using CH3Cl carbon gas precursor: Growth rate, surface morphology, and influence of gas phase nucleation

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.15.Gh; 81.15.Kk; 81.05.Hd; 81.10.Aj; 68.55.JkA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition; A3. Chloride vapor phase epitaxy; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Computational modeling of heat transport in a multi-zone high-pressure vertical electro-dynamic gradient CdZnTe furnace

Keywords: A1 مدل های رشد; 02.70.Fj; 47.27.−I; 81.05.Dz; 81.10.Fq; 83.20.Jp; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A2. Bridgman growth; B1. CdZnTe;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dependence of stacking fault and twin densities on deposition conditions during 3C-SiC heteroepitaxial growth on on-axis Si(0 0 1) substrates

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.72.Mm; 61.72.Nn; 81.05.Je; 81.10Aj; 81.15.GhAl. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Planar defects; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Modeling ammonothermal growth of GaN single crystals: The role of transport

Keywords: A1 مدل های رشد; 07.05.TpA1. Convection; A1. Fluid flows; A1. Growth models; A2. Ammonothermal growth; B1. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه