کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795347 | 1524483 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-quality heteroepitaxial Ge growth on nano-patterned Si templates using diblock copolymer patterning
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we investigated the heteroepitaxial germanium (Ge) growth on a nano-patterned Si substrate using a diblock copolymer self-patterning process, which provides approximate 10-nm-diameter holes and 20 nm distances in lateral scale. A 300-nm-thick pure Ge film was grown by solid source molecular beam epitaxy (MBE) and the epitaxial film was characterized by AFM, SEM, TEM, μ-Raman spectroscopy and etched pit dislocation (EPD) measurements. The results show that rms surface roughness was improved by 22.5% for the growth on nano-patterned templates and the epitaxial layer exhibited a fully relaxed single-crystalline structure. One-order reduction in etch pit density was achieved for the growth on the nano-patterned templates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 330–334
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 301–302, April 2007, Pages 330–334
نویسندگان
J. Lee, K.L. Wang, H.-T. Chen, L.-J. Chen,