دانلود مقالات ISI درباره A1 مدل های رشد + ترجمه فارسی

Effect of supersaturation on evolution of crystal faces—theoretical analysis

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 81.01.DnA1. Crystal morphology; A1. Growth models; A2. Growth from solutions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Surface processes and kinetic interaction of growth steps

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 82.20.WtA1. Bunching; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Stability of bundles of steps; A1. Surface processes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dependence of the CaOx and MgOx growth rate on solution stoichiometry. Non-Kossel crystal growth

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 81.10.Dn; 68.45.DaA1. Atomic force microscopy; A1. Biomaterials; A1. Growth models; A1. Interfaces; A2. Growth from solutions; B1. Calcium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Crystal morphology evolution in film growth: A general approach

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 81.15.AaA1. Crystal morphology; A1. Diffusion; A1. Growth models; A1. Interfaces; A3. Metalorganic chemical vapor deposition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth behavior of GaSb by metal–organic vapor-phase epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; 07.60.Pb; 81.10.Bk; 82.33.TaA1. Adsorption; A1. Computer simulation; A1. Desorption; A1. Growth Models; A3. Metal–organic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Nucleation, growth and ageing scenarios in closed systems II: Dynamics of a new phase formation

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.Ac; 81.10.Aj; 81.10.Bk; 81.10.Dn; 81.10.Fq; 92.40.Ea; 94.20.QqA1. Ageing; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Nucleation; A2. Growth from melt; A2. Growth from solutions; A2. Growth from vapor

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Indium segregation during multilayer InAs/GaAs(0 0 1) quantum dot formation

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.14.Hg; 66.30.Pa; 68.65.Hb; 81.15.Hi; A1. Growth models; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Segregation; A2. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Angular dependence of lateral growth rate and kink-step structure on InP surface during liquid phase epitaxial condition

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.15.Lm; A1. Crystal morphologies; A1. Growth models; A1. Surface structure; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nucleation kinetics of polymer formation on nucleation agent

Keywords: A1 مدل های رشد; 64.60.Qb; 82.35.Lr; A1. Nucleation; A1. Growth models; A2. Growth from melt; B1. Polymers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Numerical study of the development of cellular structure during the Czochralski growth of GeSi bulk crystals

Keywords: A1 مدل های رشد; 67.70.Dv; 81.10.Aj; 44.25.+f; A1. Directional solidification; A1. Fluid flows; A1. Growth models; B1. Germanium Silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Roughening transition of an SOS model with elastic interactions

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.35.Rh; 68.35.Ct; 81.10.Aj; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A1. Nucleation; A1. Roughening; A1. Solidification; A1. Surface structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A possibility of In-N fragments incorporation in InGaAsN MBE growth

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.05.Ea; 81.15.Hi; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting quaternary alloys; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MBE-grown Au-island-catalyzed ZnSe nanowires

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Growth models; A2. Single crystal growth; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth rate hysteresis of a potassium dihydrogen phosphate (KDP) crystal in the presence of traces of impurity

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Dn; A1. Impurities; A1. Supersaturated solutions; A1. Adsorption; A1. Growth models; B1. Salts;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Defect formation mechanism in beam-induced lateral epitaxy on (1 1 1)B GaAs substrate

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.Ac; 61.72.Cc; 61.72.Mm; 68.37.Hk; 68.37.Ps; A1. Growth models; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

GaAs facet formation and progression during MBE overgrowth of patterned mesas

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.15.Ho; 81.15.Aa; 68.55.-a; 68.35.Md; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A1. Surface processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Catalytic growth of aluminum nitride whiskers by a modified carbothermal reduction and nitridation method

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.70.+w; 81.05.Ea; 81.10.Aj; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Oriented polycrystalline α-HgI2 thick films grown by physical vapor deposition

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.15.Ef; 68.37.Hk; 68.55.Jk; 73.50.−h; A1. Characterization; A1. Growth models; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Mercuric iodide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Homogeneous SiGe crystals grown by using the traveling liquidus-zone method

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.−h; 81.10.Dn; 66.10.Cb; A1. Growth models; A2. Growth from solutions; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth mechanism of relaxor-PbTiO3 single crystals shown by morphology of crystalline grains in ceramics

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.A; 61.50.A; 81.20.E; 74.72; 77.84; 75.50.D; A1. Crystallites; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A2. Single crystal growth; B1. Perovskites; B2. Ferroelectric materials; B2. Piezoelectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Self-assembled GaN nano-rods grown directly on (1 1 1) Si substrates: Dependence on growth conditions

Keywords: A1 مدل های رشد; 61.46.+w; 68.65.La; 78.67.Lt; A1. Growth models; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Zinc oxide pompom-like particles from temperature-driven ammonia decomplexation

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.A; 81.20.F; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Nanostructures; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Formation of zinc oxide micro-disks via layer-by-layer growth and growth mechanism of ZnO nanostructures

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.07.−b; 81.10.−h; 78.55.Et; A1. Growth models; A2. Growth from vapor; B1. Nanocrystalline material; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of strained GaAsSb layers on GaAs (0 0 1) by MOVPE

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.35.Bs; 68.35.Fx; 68.43.Mn; 68.47.Fg; 68.55.Ac; 78.68.+m; 81.15.Kk; 82.33.Ya; A1. Growth models; A1. Reflection anisotropy spectroscopy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth characteristics of InP in bridged mask growth using organo-metallic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.Gh; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; A3. Bridged mask growth; B1. Phosphides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Diamond growth on faceted sapphire and the charged cluster model

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; 81.15.Aa; A1. Characterization; A1. Growth models; A1. Interfaces; A1. Nucleation; A1. Substrates; A3. Chemical vapour deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nonisothermal study on crystallization kinetics of GeSe2-As2Se3-CdSe chalcogenide glasses by differential scanning calorimeter

Keywords: A1 مدل های رشد; 44.60.+k; 81.10.Aj; A1. Crystallization kinetics; A1. Differential scanning calorimeter; A1. Growth models; A1. Nucleation; B1. Chalcogenide glass;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Computational and experimental study of thermal fields in Czochralski garnet crystal growth

Keywords: A1 مدل های رشد; 47.27.Te; 81.10.Fq; 02.60.Cb; 64.70.Dv; 42.70.Hj; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A2. Microgravity conditions; A2. Single crystal growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Buffer-layer-free growth of high-quality epitaxial GaN films on 4H-SiC substrate by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.15.Gh; 81.15.Kk; 61.72.−y; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nonlinear dynamics of vicinal surfaces

Keywords: A1 مدل های رشد; 66.30.Qa; 05.70.Ln; 68.35.Fx; 36.40.Sx; A1. Growth models; A1. Crystal morphology; A1. Morphological stability; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam expitaxy; A3. Electromigration;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of ZnS thin films obtained by chemical spray pyrolysis: The influence of precursors

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.15.Rs; A1. Growth models; A1. Surface processes; A1. Surface structure; B2. Semiconducting materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

SiGe high-temperature growth kinetics in reduced pressure-chemical vapor deposition

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.15.Gh; 81.15.Aa; 68.55.−a; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Germanium silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Mechanism of preferential orientation in sputter deposited titanium nitride and yttria-stabilized zirconia layers

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.Jk; 81.55.Aa; A1. Growth models; A3. Physical vapour deposition; B1. Nitrides; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Transformation of the incongruent-melting state to the congruent-melting state via an external electric field for the growth of langasite

Keywords: A1 مدل های رشد; 47.20.Ma; 64.10.+h; 64.60.Qb; 81.10.Fq; 81.30.Fb; 81.30.Dz; A1. Electric fields; A1. Growth models; A1. Phase diagrams; A1. Phase equilibria; A2. Growth from melt; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth kinetics study in halide chemical vapor deposition of SiC

Keywords: A1 مدل های رشد; 82.60; 52.75.R; 81.15.G; 81.10.A; 81.10; A1. Growth models; A2. Chemical vapor deposition processes; A2. Growth from vapor; A2. Single crystal growth; B1. Silicon carbide; B2. Wide bandgap semiconductors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nucleation, growth, and coarsening for two- and three-dimensional phase transitions

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Aj; A1. Computer simulations; A1. Crystal growth and dissolution; A1. Crystal size distributions; A1. Growth models; A1. Moment and numerical solutions; A1. Population balance equations;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modelling of flash-lamp-induced crystallization of amorphous silicon thin films on glass

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.−h; 81.05.Gc; A1. Growth models; A1. Heat transfer; A1. Recrystallization; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Solid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Calcium oxalates grown in human urine under different batch conditions

Keywords: A1 مدل های رشد; 81.10.Dn; A1. Biocrystallization; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; B1. Calcium oxalate;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Phase-field model for multicomponent alloy solidification

Keywords: A1 مدل های رشد; 64.70.Dv; 81.30.Fb; 81.10.Aj; 05.70.Ln; A1. Growth models; A1. Morphological instability; A1. Phase-field model; A1. Solidification; B1. Multicomponent alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Combined ab initio quantum chemistry and computational fluid dynamics calculations for prediction of gallium nitride growth

Keywords: A1 مدل های رشد; A1. Computer simulation; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Transient growth and interaction of equiaxed dendrites

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.70.+w; 81.30.Fb; A1. Dendrites; A1. Growth models; B1. Succinonitrile;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Three-dimensional phase-field simulations of the effect of convection on free dendritic growth

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.70.+w; 81.30.Fb; 47.27.Te; A1. Convection; A1. Crystal morphology; A1. Dendrites; A1. Growth models; A1. Solidification;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Numerical simulation of liquid phase electro-epitaxial selective area growth

Keywords: A1 مدل های رشد; 68.55.Jk; 81.10.Aj; 81.15.Aa; 81.15.Lm; A1. Computer simulation; A1. Crystal Morphology; A1. Growth models; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه