کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829623 | 1524495 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oriented polycrystalline α-HgI2 thick films grown by physical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This work investigates the growth of polycrystalline α-HgI2 thick films from physical vapor deposition. By varying the growth conditions, the as-deposited thick films are characterized by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, current-voltage and photoconductivity measurements. The growth mechanism and its effects to the properties of these polycrystalline α-HgI2 thick films are then discussed. Finally, the best deposition conditions for polycrystalline α-HgI2 thick films compactly formed by separated columnar monocrystallines with uniform orientation along c-direction and with good crystallinity are reported.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 280, Issues 3â4, 1 July 2005, Pages 442-447
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 280, Issues 3â4, 1 July 2005, Pages 442-447
نویسندگان
Chen-Tsung Shih, Tang-Jung Huang, Ying-Zi Luo, San-Min Lan, Kuan-Cheng Chiu,