دانلود مقالات ISI درباره A1 نقص خط + ترجمه فارسی

Defects in cadmium zinc telluride crystals revealed by etch-pit distributions

Keywords: A1 نقص خط; 81.05.Dz; 61.72.FfA1. Etching; A1. Line defects; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Reduction of the dislocation density in GaN during low-pressure solution growth

Keywords: A1 نقص خط; 61.72.Bb; 61.72.Ff; 61.72.Lk; 81.05.Ea; 81.15.LmA1. Characterization; A1. Line defects; A3. Liquid-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Simulation of dislocation density: Global modeling of bulk crystal growth by a quasi-steady approach of the Alexander–Haasen concept

Keywords: A1 نقص خط; 61.72.Bb; 61.72.Lk; 61.82.Fk; 81.05.Ea; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Line defects; A2. Czochralski method; A2. Gradient freeze technique

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Formation of basal plane Frank-type faults in 4H-SiC epitaxial growth

Keywords: A1 نقص خط; 61.72.FfA1. Characterization; A1. Line defects; A1. Planar defects; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Silicon carbide; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Dislocations in III-nitride films grown on 4H-SiC mesas with and without surface steps

Keywords: A1 نقص خط; 61.72.Ff; 61.72.Lk; 68.37.Lp; 68.35.Gy; 61.72.BbA1. Interfaces; A1. Line defects; A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Atomic core configurations of the a⇒-screw basal dislocation in wurtzite GaN

Keywords: A1 نقص خط; A1. Line defects; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Dislocation density evaluation using dislocation kinetics model

Keywords: A1 نقص خط; 02.70.Dh; 61.72.−y; 62.20.Mk; A1. Computer simulation; A1. Line defects; A1. Stresses; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Investigation of defect formation in 4H-SiC epitaxial growth by X-ray topography and defect selective etching

Keywords: A1 نقص خط; 61.72.FfA1. Characterization; A1. Line defects; A1. Planar defects; A3. Vapor phase epitaxy; B1. Silicon carbide; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Formation energies and equilibrium configurations of dislocation arrays with alternating Burgers vectors in layered heterostructures

Keywords: A1 نقص خط; A1. Line defects; A1. Interfaces; A1. Stresses; A1. Dislocations; A1. Heterostructures; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

ISOVPE MCT films grown on pure and alloyed CdTe substrates with different crystalline orientations

Keywords: A1 نقص خط; 68.55.−a; 72.80.Ey; 73.61.Ga; 81.05.Dz; 81.15.Kk; A1. Characterization; A1. Etching; A1. Line defects; A1. Substrates; A3. Vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Highlighting threading dislocations in MOVPE-grown GaN using an in situ treatment with SiH4 and NH3

Keywords: A1 نقص خط; 81.15.Kk; 68.37.PsA1. Atomic force microscopy; A1. Line defects; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

First-principles study on crystal and electronic structures of stacking-fault tetrahedra in epitaxialized Si films

Keywords: A1 نقص خط; 73.21.−b; 73.22.−f; 73.40.−c; 71.55.−i; 61.72.−y; A1. Defects; A1. Line defects; A3. Chloride vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A study of dislocations in AlN and GaN films grown on sapphire substrates

Keywords: A1 نقص خط; 78.66.Fd; 61.10.−I; 78.55.−m; 64.16.Bg; A1. Line defects; A1. Transmission electron microscopy; A3. Low pressure metalorganic chemical vapor phase epitaxy; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Identification of donors, acceptors, and traps in bulk-like HVPE GaN

Keywords: A1 نقص خط; 61.72.Ji; 61.72.Lk; 68.55.Ce; 71.55.Eq; 72.20.Fr; A1. Defects; A1. Impurities; A1. Line defects; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Temperature dependence of threading dislocation density in In0.2Ga0.8As layers grown on GaAs substrates by metalorganic-vapor phase epitaxy

Keywords: A1 نقص خط; 81.15.Gh; 61.72.Hh; 61.72.Lk; A1. Line defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

An electrochemical study of photoetching of heteroepitaxial GaN: kinetics and morphology

Keywords: A1 نقص خط; 61.72.Ff; 61.72.Lk; 68.37.Hk; A1. Etching; A1. Line defects; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of residual dislocations in VGF-grown Si-doped GaAs

Keywords: A1 نقص خط; 81.10.Fq, 81.05.Ea, 61.72.F; A1. Dislocations; A1. Line defects; A1. X-ray topography; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه