کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830313 | 1524507 | 2005 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An electrochemical study of photoetching of heteroepitaxial GaN: kinetics and morphology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Potentiostatic experiments in KOH solution were used to investigate the photoetching of the Ga-polar face of heteroepitaxial GaN layers grown on sapphire. Different etching regimes are identified; these depend on the applied potential, KOH concentration, light intensity and electron concentration. In particular, the importance of the relative rates of transport of photogenerated holes and OHâ ions to the surface for the etching kinetics and morphology is demonstrated. Consequently, the hydrodynamics of the etching system are important. These results form the basis for a comparison with a more widely used approach: photoenhanced open-circuit etching with a counter electrode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 273, Issues 3â4, 3 January 2005, Pages 347-356
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 273, Issues 3â4, 3 January 2005, Pages 347-356
نویسندگان
L. Macht, J.J. Kelly, J.L. Weyher, A. Grzegorczyk, P.K. Larsen,