دانلود مقالات ISI درباره A1 استرس + ترجمه فارسی

InGaN growth with various InN mole fractions on m-plane ZnO substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

Keywords: A1 استرس; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Formation of Ge nanoislands before the completion of a wetting layer in the Ge/Si(1 1 1) system

Keywords: A1 استرس; 63.22.Kn; 68.37.Ef; 81.07.Bc; 81.15.Hi; A1. Low-dimensional structures; A1. Stresses; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Study of Te inclusions in CdMnTe crystals for nuclear detector applications

Keywords: A1 استرس; 29.40.Wk; 78.20.Fm; 78.20.Jq; 78.30.Fs; 81.05.Dz; 81.10.Fq; 81.70.FyA1. Defects; A1. Doping; A1. Stresses; A2. Bridgman technique; B1. Cadmium compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and structure properties of La1−xSrxMnO3−σ (x=0.2, 0.3, 0.45) thin film grown on SrTiO3 (0 0 1) single-crystal substrate by laser molecular beam epitaxy

Keywords: A1 استرس; 75.47.LxA1. High resolution X-ray diffraction; A1. Stresses; A3. Laser epitaxy; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Manganites; B1. Perovskites

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Microstructural characteristics and crystallographic evolutions of Ga-doped ZnO films grown on sapphire substrates at high temperatures by RF magnetron sputtering

Keywords: A1 استرس; 61.72.Qq; 61.72.Vv; 68.37.Lp; 78.66.HfA1. Crystal morphology; A1. Doping; A1. Stresses; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Zinc compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Dissolution–precipitation recrystallization of miscut crystal surfaces under stress

Keywords: A1 استرس; 68.35.Md; 68.35.Ja; 81.10.JtA1. Optical microscopy; A1. Morphological stability; A1. Recrystallization; A1. Roughening; A1. Stresses; A1. Surface structure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Birefringence simulation of annealed ingot of magnesium fluoride single crystal

Keywords: A1 استرس; 02.70.−c; 07.05.Tp; 42.25.Lc; 42.82.Cr; 78.20.Fm; A1. Computer simulation; A1. Stresses; A2. Growth from melt; A2. Magnesium fluoride; A2. Lithography;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The core effect of misfit dislocations in heteroepitaxy

Keywords: A1 استرس; 61.72.LkA1. Adsorption; A1. Line defects; A1. Nanostructures; A1. Stresses; A3. Atomic layer epitaxy; A3. Vapor phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Anisotropic misfit strain relaxation in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures grown by MOVPE

Keywords: A1 استرس; 61.72.Hh; 61.72.Lk; 61.10.Nz; 68.37.Lp; 81.15.GhA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Line defects; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapour-phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Study on thermal stress in a silicon ingot during a unidirectional solidification process

Keywords: A1 استرس; 02.60.Cb; 61.50.Ah; 81.10.−h; 81.40.JjA1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Solidification; A1. Stresses

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Residual stress relaxation in GaN/sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy

Keywords: A1 استرس; 78.30.−j; 87.80.EkA1. Raman scattering; A1. Residual stresses; A1. Focus ion beam; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Relaxation of compressively strained AlInN on GaN

Keywords: A1 استرس; 81.05.Ea; 82.80.Yc; 61.85.+p; 61.10.NzA1. Characterization; A1. Stresses; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Photoluminescence and transformation of dense Al2O3:Cr3+ condensates synthesized by laser-ablation route

Keywords: A1 استرس; 78.55.−m; 07.07.Df; 07.10.Lw; 67.70.+h; 61.14.−x; 42.62.−b; 71.55.Ak; 81.15.FgA1. Crystallites; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Photoluminescence; A1. Stresses; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Birefringence simulation of annealed ingot of calcium fluoride single crystal

Keywords: A1 استرس; 02.70.−c; 07.05.Tp; 42.25.Lc; 42.82.Cr; 78.20.FmA1. Computer simulation; A1. Stresses; A2. Growth from melt; B1. Calcium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Optimization of the cooling profile to achieve crack-free Yb:S-FAP crystals

Keywords: A1 استرس; 61.72.−y; 71.55.−i; 81.10.Fq; 81.10.AjA1. Defect; A1. Stresses; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B1. Oxides; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Nitrogen doping of 3C-SiC thin films grown by CVD in a resistively heated horizontal hot-wall reactor

Keywords: A1 استرس; 81.05.Hd; 81.15.GhA1. Doping; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot wall epitaxy; B1. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Semi-analytic solutions for a thermoelastic problem with cubic anisotropy

Keywords: A1 استرس; 61.50.Ah; 41.20.Cv; 45.10.−b; A1. Cubic anisotropy; A1. Solidification; A1. Stresses; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

In situ measurements of wafer bending curvature during growth of group-III-nitride layers on silicon by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 استرس; 61.72.Lk; 62.20.Fe; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. In situ monitoring; A1. Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Group-III-nitrides; B2. GaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Thermodynamic function of state for stressed matter in general

Keywords: A1 استرس; 64.10.+h; 05.70.−a; 64.70.Dv; 68.35.Rh; 68.18.Jk; A1. Phase diagrams; A1. Phase equilibria; A1. Stresses; A3. Atomic layer epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Three-dimensional resolved shear stresses in off-axis grown SiC single crystals

Keywords: A1 استرس; 02.60.Cb; 02.70.Dh; 46.25.HfA1. Computer simulation; A1. Stresses; A2. Growth from vapour

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Thermodynamics and kinetic theory of nucleation and the evolution of liquid precipitates in gallium arsenide wafer

Keywords: A1 استرس; 8.60.Nh; 82.20.Db; 82.20.--w; 61.72.Bb; 61.72.Qq; 64.70.DvA1. Diffusion; A1. Interface; A1. Nucleation; A1. Phase diagrams; A1. Phase transition; A1. Stresses; A1. Volume defects; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Solid mechanics and material strength studies on the melt growth of bulk single crystals

Keywords: A1 استرس; 02.70.Dh; 61.72.−y; 62.20.MkA1. Computer simulation; A1. Defects; A1. Stresses; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Dislocation density evaluation using dislocation kinetics model

Keywords: A1 استرس; 02.70.Dh; 61.72.−y; 62.20.Mk; A1. Computer simulation; A1. Line defects; A1. Stresses; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Formation energies and equilibrium configurations of dislocation arrays with alternating Burgers vectors in layered heterostructures

Keywords: A1 استرس; A1. Line defects; A1. Interfaces; A1. Stresses; A1. Dislocations; A1. Heterostructures; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Analysis on reflection spectra in strained ZnO thin films

Keywords: A1 استرس; 78.40.−q; 778.66.Li; 78.67.Pt; 81.15.Fg; A1. Stresses; A3. Laser epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Influence of strain on solid-liquid phase equilibrium in heteroepitaxy of SiGe/Si(0 0 1)

Keywords: A1 استرس; 64.70.Dv; 81.05.Cy; 81.10.Dn; 81.15.Lm; 81.40.Jj; 82.60.Lf; A1. Phase equilibria; A1. Segregation; A1. Stresses; A1. Supersaturated solutions; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Pocket surface and slip defect in Si epitaxy

Keywords: A1 استرس; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.FeA1. Defects; A1. Stresses; A3. CVD processes; B2. Semiconductor silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Stress control in GaN/sapphire templates for the fabrication of crack-free thick layers

Keywords: A1 استرس; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.15.Kk; 68.55; 61.72; 62.20A1. Defects; A1. Stresses; A3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of long anneals on the densities of threading dislocations in GaN films grown by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: A1 استرس; 61.72.Dd; 61.72.Cc; 61.10.NzA1. Rocking curve; A1. Stresses; A1. Threading dislocation; B1. GaN thin films

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Fracture and the Grinfeld instability

Keywords: A1 استرس; 62.20.Mk; 46.50.+a; 81.40.Np; A1. Diffusion; A1. Mass transfer; A1. Morphological stability; A1. Stresses; A1. Surfaces;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Anisotropic intrinsic and extrinsic stresses in epitaxial wurtzitic GaN thin film on γ-LiAlO2 (1 0 0)

Keywords: A1 استرس; 61.10.Nz; 65.40.De; 68.60.Bs; A1. X-ray diffraction; A1. Stresses; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Phase field simulation of stress evolution during solidification

Keywords: A1 استرس; 64.70.Dv; 81.10.Aj; 46.15.−x; A1. Computer simulation; A1. Phase field model; A1. Solidification; A1. Stresses;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Step interaction on a 3D elastic substrate

Keywords: A1 استرس; 68.35.-p; 68.35.Gy; 68.43.Fg; A1. Computer simulation; A1. Stresses; A1. Surface structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Crack-free GaN/Si(1 1 1) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A1 استرس; 68.55.a; 81.15; A1. Cracks; A1. Si(1 1 1) substrate; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. GaN; B2. InAlGaN buffer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Correlation between nucleation, morphology and residual strain of InN grown on Ga-face GaN (0 0 0 1)

Keywords: A1 استرس; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.55.−a; 68.37.Lp; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Interfaces; A1. Stresses; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Transient wafer deflection in Si epitaxy

Keywords: A1 استرس; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

SiGe quantum cascade structures for light emitting devices

Keywords: A1 استرس; 81.15.Hj; 85.60.Jb; 62.10.Dc; 62.25.+g; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nonlocal interface equations in crystal growth

Keywords: A1 استرس; 47.54.+r; 05.10.-a; 81.30.-t; 81.40.Jj; A1. Computer simulation; A1. Solidification; A1. Stresses; A1. Surfaces; A2. Growth from melt;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Process-induced transfer pattern in Si epitaxy using pocket susceptor

Keywords: A1 استرس; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

In situ monitoring of the stress evolution in growing group-III-nitride layers

Keywords: A1 استرس; 62.20.Fe; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.70.Fy; A1. In situ monitoring; A1. Stresses; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; B1. Group-III nitrides; B2. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the mechanism of impurity influence on growth kinetics and surface morphology of KDP crystals-II: experimental study of influence of bivalent and trivalent impurity ions on growth kinetics and surface morphology of KDP crystals

Keywords: A1 استرس; 61.72.s; 81.10; 81.10.A; 68.35.B; A1. Impurities; A1. Stresses; A1. Surface structure; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Potassium compounds (KDP);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Three-dimensional thermal stresses in on-axis grown SiC crystals

Keywords: A1 استرس; 02.60.Cb; 02.70.Dh; 46.25.Hf; A1. Computer simulation; A1. Stresses; A2. Growth from vapour;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the mechanism of impurity influence on growth kinetics and surface morphology of KDP crystals-I: defect centres formed by bivalent and trivalent impurity ions incorporated in KDP structure-theoretical study

Keywords: A1 استرس; 61.72.s; 81.10; 81.10.A; 68.35.B; A1. Impurities; A1. Stresses; A1. Surface structure; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth; B1. Potassium compounds (KDP);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Dependence of stresses and strain energies on grain orientations in FCC metal films

Keywords: A1 استرس; A1. Recrystallization; A1. Stresses; A3. Polycrystalline deposition; B1. Metals;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Susceptor honing and contact stress in Si epitaxy

Keywords: A1 استرس; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Microscopic contact and slip in Si epitaxy

Keywords: A1 استرس; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Dislocation; B2. Semiconductor silicon; B2. Slip;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Thermal stress inhibition in double crucible Czochralski large diameter crystal growth

Keywords: A1 استرس; 81.10 h; A1. Heat transfer; A1. Stresses; A2. Czochralski method;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Empirical inference of in situ wafer sagging in Si epitaxy using pocket susceptor

Keywords: A1 استرس; 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Crystal growth in porous materials-II: Influence of crystal size on the crystallization pressure

Keywords: A1 استرس; A1. Interfaces; A1. Stresses; A1. Supersaturated solutions; B1. Salts; B1. Sodium chloride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Crystal growth in porous materials-I: The crystallization pressure of large crystals

Keywords: A1 استرس; A1. Stresses; A1. Supersaturated solutions; B1. Salts; B1. Sodium chloride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه