کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9829869 1524499 2005 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SiGe quantum cascade structures for light emitting devices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
SiGe quantum cascade structures for light emitting devices
چکیده انگلیسی
The realisation of III-V quantum cascade lasers has initiated a strong interest in developing a Si/SiGe-based quantum cascade laser over the last 3 years. Most efforts were focused on the growth of strain-balanced Si/SiGe superlattices on strain-relaxed SiGe virtual substrates. This paper discusses the progress so far and addresses some of the material issues related to the epitaxy of Si/SiGe quantum cascade structures, including strain-stress balance and production of strain-relaxed SiGe virtual substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1–4, 1 May 2005, Pages 488-494
نویسندگان
, , , , , , , , , ,