کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829869 | 1524499 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SiGe quantum cascade structures for light emitting devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: SiGe quantum cascade structures for light emitting devices SiGe quantum cascade structures for light emitting devices](/preview/png/9829869.png)
چکیده انگلیسی
The realisation of III-V quantum cascade lasers has initiated a strong interest in developing a Si/SiGe-based quantum cascade laser over the last 3Â years. Most efforts were focused on the growth of strain-balanced Si/SiGe superlattices on strain-relaxed SiGe virtual substrates. This paper discusses the progress so far and addresses some of the material issues related to the epitaxy of Si/SiGe quantum cascade structures, including strain-stress balance and production of strain-relaxed SiGe virtual substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 488-494
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 488-494
نویسندگان
J. Zhang, X.B. Li, J.H. Neave, D.J. Norris, A.G. Cullis, R.W. Kelsall, S. Lynch, P. Towsend, D.J. Paul, P.F. Fewster,