دانلود مقالات ISI درباره A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی + ترجمه فارسی

Enhanced B doping in CVD-grown GeSn:B using B δ-doping layers

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Germanium tin; A1. Delta-doping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

4H–SiC homoepitaxy on nearly on-axis substrates using TFS-towards high quality epitaxial growth

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Raman characterization; A3. Chemical vapor deposition process; A3. On-axis SiC growth; A3. SiC epitaxy; B1. Tetrafluorosilane

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Lateral overgrowth of germanium for monolithic integration of germanium-on-insulator on silicon

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Defects; A3. Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting germanium; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Direct observation of nucleation and early stages of growth of GaN nanowires

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Nucleation; A1. In situ TEM; A3. Chemical vapor deposition process; A3. Vapor–liquid–solid mechanism; B1. GaN nanowires; B1. Au catalyst

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Temperature gradient induced phase transitions and morphological changes in diamond thin film

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; A1. Crystal morphology; A1. Crystal structure; A1. Substrate; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Diamond

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Low-temperature growth of epitaxial (1 0 0) silicon based on silane and disilane in a 300 mm UHV/CVD cold-wall reactor

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; A3. Chemical vapor deposition process; A3. Epitaxy; A3. Ultra-high vacuum; B1. Disilane; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Some physical investigations on ZnS1−xSex films obtained by selenization of ZnS sprayed films using the Boubaker polynomials expansion scheme

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.10.NZ; 68.37.HK; 85.55.JK; 79.60.DPA1. X-ray diffraction; A1. Phtothermal protocol; A1. Boubaker polynomials expansion scheme; A1. Surface structure; A3. Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication of a GaN lateral polarity junction by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Crystal structure; A3. Chemical vapor deposition process; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth temperature dependence of partially Fe filled MWCNT using chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.46.+w; 81.05.Tp; 81.07.−b; 81.07.De; 81.15.GhA1. Nanostructure; A1. Growth model; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Carbon nanotube; B1. Iron

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Low-temperature RPCVD of Si, SiGe alloy, and Si1−yCy films on Si substrates using trisilane (Silcore®)

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.55.−a; 81.15.Gh; 81.05.CyA1. Crystal structure; A1. Desorption; A1. Stress; A1. Surface morphology; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

SiC nanowires in large quantities: Synthesis, band gap characterization, and photoluminescence properties

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.07.−bA1. Growth models; A1. Nanostructure; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Synthesis and structural characterization of highly 〈1 0 0〉-oriented {1 0 0}-faceted nanocrystalline diamond films by microwave plasma chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Uw; 81.07.−b; 81.07.Bc; 81.15.Gh; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Nanomaterials; B1. Diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A new chemical path for fabrication of nanocrystalline diamond films

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Uw; 81.07.−b; 81.07.Bc; 81.15.GhA1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Diamond; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Controlled growth and morphology evolution of urchin-like ZnO/MgO hierarchical structures

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.07.−b; 81.10.BkA1. Growth models; A1. Low-dimensional structures; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Multi-scale modeling of chemical vapor deposition processes for thin film technology

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 47.11.−j; 47.11.St; 47.20.−k; 47.27.De; 47.45.−n; 47.54.Jk; 47.55.P−; 47.61.−k; 47.61.Cb; 81.15.GhA1. Computer simulations; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A3. Chemical vapor deposition process

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of Ga- and N- polar gallium nitride layers by metalorganic vapor phase epitaxy on sapphire wafers

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Crystal strcture; A3. Chemical vapor deposition process; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Reductions of twin and protrusion in 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(1 0 0)

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.72.Mm; 61.14.Hg; 81.15.Gh; 81.10.Aj; 81.05.Je; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Planar defects; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Nucleation and growth of diamond on titanium silicon carbide by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Uw; 81.05.Je; 81.15.Gh; 68.55.Ac; 68.35.NpA1. Nucleation; A2. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Diamond; B1. Titanium silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Modeling of gas phase and surface reactions in an aluminum nitride growth system

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.15; 77.84.B; 07.05.TA1. Computer simulation; A1. Gas-phase reaction; A1. Halide vapor transport epitaxy reactor; A3. Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting aluminum nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Fabrication and abnormal magnetic properties of MnO nanoparticles via vapor phase growth

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.07Bc; 76.50.+g; 68.37.Lp; 71.55.Gs; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition process; B1. MnO; B2. Magnetic materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Synthesis of single crystalline cadmium nanosheets by a thermal decomposition method

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 81.05.Ys; 81.10.Bk; A1. Nanostructures; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Metals; B1. Nanomaterials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Surface roughness scaling of microcrystalline silicon films by hot-wire chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 68.55.−a; 81.15.Gh; 82.20.Mj; A1. Atomic force microscopy; A1. Roughening; A3. Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High-speed homoepitaxy of SiC from methyltrichlorosilane by chemical vapor deposition

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 61.66; A1. Crystal structure; A1. Substrates; A3. Chemical vapor deposition process;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Nanolaminated Al2O3-TiO2 thin films grown by atomic layer deposition

Keywords: A3 فرایند رسوبدهی بخار شیمیایی; 77.84.Bw; 81.15.Gh; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition process; B1. Oxides; B2. Dielectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه