دانلود مقالات ISI درباره A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی + ترجمه فارسی

Si impurity concentration in nominally undoped Al0.7Ga0.3N grown in a planetary MOVPE reactor

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Impurities; A1. Desorption; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Temperature effect on the growth of Au-free InAs and InAs/GaSb heterostructure nanowires on Si substrate by MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Interfaces; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 23 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Experimental study of the orientation dependence of indium incorporation in GaInN

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A3. Metal organic chemical vapor deposition; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of surface nitridation on the epitaxial growth of few-layer sp2 BN

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Dielectric materials; A1. Surface structure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of hydrogen carrier gas on AlN and AlGaN growth in AMEC Prismo D-Blue® MOCVD platform

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Atomic force microscopy; A1. X-ray diffraction; A1. Computation simulation; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. AlN; B1. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Stable vicinal step orientations in m-plane GaN

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Atomic force microscopy; A1. Crystal morphology; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

The self-seeded growth of InAsSb nanowires on silicon by metal-organic vapor phase epitaxy

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Nanostructures; A3. Crystal morphology; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Defect reduction method in (11-22) semipolar GaN grown on patterned sapphire substrate by MOCVD: Toward heteroepitaxial semipolar GaN free of basal stacking faults

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Crystal morphology; A1. Defects; A3. Metal organic chemical vapor deposition; A3. Selective epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of compositionally graded AlGaN buffer layer grown by different functions of trimethylaluminum flow rates on the properties of GaN on Si (111) substrates

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Stresses; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Emission characteristics of single InGaN quantum wells on misoriented nonpolar m-plane bulk GaN substrates

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Crystal morphology; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effects of AlN interlayer on the transport properties of nearly lattice-matched InAlN/GaN heterostructures grown on sapphire by pulsed metal organic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Surface structure; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

MgZnO synthesis employing weak oxidants for accurate Mg incorporation control

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Photoluminescence; A1. Time-of-flight elastic recoil detection analysis; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Tertiary butanol; B2. MgZnO

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Defect reduction in (1 1 2̄ 0) nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire using TiN interlayers

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Crystal morphology; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Sapphire; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

GaN vertical and lateral polarity heterostructures on GaN substrates

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Polarity; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Gallium nitride; B3. Lateral Polarity Heterostructures

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth study and impurity characterization of AlxIn1−xN grown by metal organic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. Surfaces; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth of InAs/GaAs quantum dots on Si, Ge/Si and germanium-on-insulator-on-silicon (GeOI) substrates emitting in the 1.3 μm band for silicon photonics

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Nanostructures; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compound; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High quality InAlN/GaN heterostructures grown on sapphire by pulsed metal organic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Surface structure; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

A comparative structure and morphology study of Zn(1−x)CdxO solid solution grown on ZnO and different sapphire orientations

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A1. Zn(1−x)CdxO solid solutions; A1. High resolution X-ray diffraction; A1. Scanning electron microscopy; A1. Atomic force microscopy; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B2. II–VI Material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Fabrication of UV detectors based on ZnO nanowires using silicon microchannel

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; 78.55.Et; 81.15.Gh; 61.46.Km; 85.60.GzA1. Etching; A1. Nanostructures; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Zinc oxide; B3. UV detector

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth of Cu2O thin film on ZnO by metal organic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; 81.15.Aa; 81.15.−z; 81.15.gh; 81.15.Np; 68.55.−aA1. X-ray diffraction; A3. Metal organic chemical vapor deposition; A3. Solid phase epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Determination of the surface reactivity of growth species in the AP-MOCVD of ZnO from DEZ and H2O and thermal analysis of the “captured” intermediate species

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; 81.15.Gh; 82.20.Pm; A1. Surface reaction rate constant; A1. Thermal analysis; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Zinc compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

X-ray diffraction and Raman scattering study of thermal-induced phase transformation in vertically aligned TiO2 nanocrystals grown on sapphire(1 0 0) via metal organic vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; 61.05.Cp; 61.50.Ks; 78.30.−j; A1. X-ray diffraction; A1. Nanostructures; A1. Raman scattering; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of high-purity arsine and gallium arsenide epilayers grown by MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; 78.55.Cr; 81.15.Gh; 78.66.FdA1. High purity; A1. Impurities; A1. Low temperature photoluminescence; A1. Purification; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B2. Arsine; B2. GaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characteristics of the improved a-plane GaN films grown on r-plane sapphire with two-step AlN buffer layer

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; 61.10.Nz; 68.37.Ps; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. AlN buffer; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Improved structure and performance of the GaAsSb/InP interface in a resonant tunneling diode

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; 68.35.Ct; 78.40.Fy; 61.14.Hg; 68.47.Fg; 81.15.GhA1. Low-energy electron diffraction; A1. Reflectance difference spectroscopy; A1. Surface reconstruction; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Material studies regarding InP-based high-efficiency solar cells

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 84.60.JtA1. III–V solar cells; A1. InP-based materials; A3. Metal organic vapor phase epitaxy; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

MOCVD growth and properties of ZnO thin films on LiNbO3 substrates

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; 81.15.Gh; 68.55.−a; 78.2.−e; A1. LiNbO3; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. ZnO thin film;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Gallium doping dependence of single-crystal n-type Zno grown by metal organic chemical vapor deposition

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Gallium doping; B1. ZnO;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Influence of in situ HCl gas cleaning on n/p-type GaAs and AlGaAs regrown interfaces in MOCVD

Keywords: A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلی; 71.55.Eg; 73.61.Ey; 81.65.Cf; A1. Etching; A1. Interface; A1. Surface; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Aluminum gallium arsenide; B1. Gallium arsenide; B1. Hydrogen chloride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه