کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792384 | 1023642 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth study and impurity characterization of AlxIn1−xN grown by metal organic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
AlxIn1−xN films with 0.14
► We study MOCVD growth condition dependence of AlInN growth on GaN.
► Surface, structural and impurity analyses to understand an optimal growth condition.
► SIMS shows higher carbon concentration with increasing growth pressure.
► Oxygen incorporation in AlInN is rather insensitive to growth conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 324, Issue 1, 1 June 2011, Pages 163–167
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 324, Issue 1, 1 June 2011, Pages 163–167
نویسندگان
Roy B. Chung, Feng Wu, Ravi Shivaraman, Stacia Keller, Steven P. DenBaars, James S. Speck, Shuji Nakamura,