کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793540 | 1023678 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Heteroepitaxial growth of Cu2O thin film on ZnO by metal organic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
81.15.Np81.15.Gh81.15.Aa81.15.?z - 81.15.؟zA3. Solid phase epitaxy - A3 Epitaxy فاز جامدA3. Metal organic chemical vapor deposition - A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلیB1. Oxides - B1 اکسیدB2. Semiconducting materials - B2 مواد نیمه هادیB3. Heterojunction semiconductor devices - B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Heteroepitaxial growth of Cu2O thin film on ZnO by metal organic chemical vapor deposition Heteroepitaxial growth of Cu2O thin film on ZnO by metal organic chemical vapor deposition](/preview/png/1793540.png)
چکیده انگلیسی
Cuprous oxide (Cu2O) thin films were grown epitaxially on c-axis-oriented polycrystalline zinc oxide (ZnO) thin films by low-pressure metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) from Copper(II) hexafluoroacetylacetonate [Cu(C5HF6O2)2] at various substrate temperatures, between 250 and 400 °C, and pressures, between 0.6 and 2.1 Torr. Polycrystalline thin films of Cu2O grow as single phase with [1 1 0] axis aligned perpendicular to the ZnO surface and with in-plane rotational alignment due to (2 2 0)Cu2O∥(0 0 0 2)ZnO; [0 0 1]Cu2O∥[1 2¯ 1 0]ZnO epitaxy. The resulting interface is rectifying and may be suitable for oxide-based p–n junction solar cells or diodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 17, 15 August 2009, Pages 4188–4192
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 17, 15 August 2009, Pages 4188–4192
نویسندگان
SeongHo Jeong, Eray S. Aydil,