دانلود مقالات ISI درباره B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند + ترجمه فارسی

نویز شارژ فوق العاده پایین و نویز چرخشی در نقاط کوانتومی خودمختار

Ultra-low charge and spin noise in self-assembled quantum dots

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Low dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Quantum dots; B3. Heterojunction semiconductor devices; Molecular beam epitaxy; Heterostructure; Quantum dot; Spin; Nuclear spin; Qu

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

آغاز رشد برای بازسازی لیزر کوانتومی آبشار خزنده-هیستوپاتیک بوسیله اپتیکاسیون پرتوهای مولکولی منبع گاز

Growth initiation for buried-heterostructure quantum-cascade laser regrowth by gas-source molecular-beam epitaxy

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Structure optimization of 266 nm Al0.53GaN/Al0.75GaN SQW DUV-LD

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; B2. Semiconducting aluminum compounds; B3. Laser diodes; B3. Heterojunction semiconductor devices; A3. Quantum wells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2019 سفارش ترجمه

Temperature effect on the growth of Au-free InAs and InAs/GaSb heterostructure nanowires on Si substrate by MOCVD

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Interfaces; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 23 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Fe-doped semi-insulating GaN with solid Fe source grown on (110) Si substrates by NH3 molecular beam epitaxy

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1.Characterization; A1.Doping; A3.Molecular beam epitaxy; B1.Nitrides; B2.Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Annealing effect of the InAs dot-in-well structure grown by MBE

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Photoluminescence; A3. Quantum dots; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Influence of growth conditions on the structural and opto-electronic quality of GaAsBi

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting ternary compounds; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 18 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Photoluminescence and the gallium problem for highest-mobility GaAs/AlGaAs-based 2d electron gases

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Characterization; A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Tuning emission in violet, blue, green and red in cubic GaN/InGaN/GaN quantum wells

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Quantum wells; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Comparison of semi-insulating InAlAs and InP:Fe for InP-based buried-heterostructure QCLs

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Intersubband absorption in ZnO/ZnMgO quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on c-plane sapphire substrates

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum well; B1. Oxides; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Control of domain orientation during the MBE growth of ZnTe on a-plane sapphire

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Zinc compounds; B1. Sapphire; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

The microstructure, optical and electrical property of CdZnTe thick films grown from a CSS method

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Surface processes; A3. Close-spaced sublimation; B2. CdZnTe; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Position-sensitive multi-wavelength photon detectors based on epitaxial InGaAs/InAlAs quantum wells

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Heterointegration of III-V on silicon using a crystalline oxide buffer layer

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Reflection high energy electron diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Perovskites; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Modeling and process control of MOCVD growth of InAlGaAs MQW structures on InP

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Laser diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

In situ X-ray diffraction monitoring of GaInN/GaN superlattice during organometalic vapor phase epitaxy growth

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. X-ray diffraction; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 28 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Semi-insulating InP:Fe for buried-heterostructure strain-compensated quantum-cascade lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Molecular-beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

GaSb/ZnTe double-heterostructures grown using molecular beam epitaxy

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

MOVPE-grown InAs/AlAs0.16Sb0.84/InAs and InAs/AlAs0.16Sb0.84/GaSb heterostructures

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Crystal structure; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Nanomaterials; B1. Antimonides; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

InGaAs/AlInAs strain-compensated Superlattices grown on metamorphic buffer layers for low-strain, 3.6 μm-emitting quantum-cascade-laser active regions

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Arsenates; B1. Phosphides; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Crystal structure; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Axial growth of Zn2GeO4/ZnO nanowire heterojunction using chemical vapor deposition

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

High-uniformity InP-based resonant tunneling diode wafers with peak current density of over 6×105 A/cm2 grown by metal-organic vapor-phase epitaxy

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Semimagnetic II-VI semiconductor resonant tunneling diodes characterized by high-resolution X-ray diffraction

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

On the existence of submicron diameter current shunts in morphologically perfect device layers

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A1. Defects; A1. Etching; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

High detectivity AlGaAsSb/InGaAsSb photodetectors grown by molecular beam epitaxy with cutoff wavelength up to 2.6 μm

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Heteroepitaxial growth of Cu2O thin film on ZnO by metal organic chemical vapor deposition

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; 81.15.Aa; 81.15.−z; 81.15.gh; 81.15.Np; 68.55.−aA1. X-ray diffraction; A3. Metal organic chemical vapor deposition; A3. Solid phase epitaxy; B1. Oxides; B2. Semiconducting materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of low-temperature ZnO films grown by atomic layer deposition with diethylzinc and water precursors

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; 78.55.Et; 78.66.Hf; 81.15.KkA1. Characterization; A3. Atomic layer epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Monolithic integration of Ga(NAsP)/(BGa)P multi-quantum well structures on (0 0 1) silicon substrate by MOVPE

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; A3. Organometallic vapor-phase epitaxy; B1. Dilute nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Laser diodes; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Lattice-matched InAlN/GaN two-dimensional electron gas with high mobility and sheet carrier density by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; 07.79.Lh; 81.15.Hi; 73.40.−CA1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Polarization-induced two-dimensional electron gas at Zn1−xMgxO/ZnO heterointerface

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; 73.61.Ga; 73.21.Fg; 77.22.Ej; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B2. Piezoelectric materials; B2. Semiconducting II–VI materials; B2. Semiconducting ternary materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Highly reflective AlGaAsSb/InP Bragg reflector at 1.55 μm grown by MOVPE

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; 71.55.Eq; 42.55.Px; 81.15.Gh; 85.60.−q; A1. Crystal morphology; A1. Low-dimensional structures; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting indium phosphide; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of InN on Ge substrate by molecular beam epitaxy

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; 81.15.Hi; 78.77.Fd; 68.37.Lp; 61.10.Nz; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High In content pseudomorphic InGaAs layers for high-mobility heterostructures on InP (0 0 1)

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 73.40.Kp; 73.61.Ey; A3. Molcular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

GSMBE growth and structural characterisation of SiGeC layers for HBT

Keywords: B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند; 81.15.Hj; 60.10.Kw; 60.10.Kz; 85.30.Pq; A2. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting silicon compounds; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه