کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489180 | 1524352 | 2017 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of growth conditions on the structural and opto-electronic quality of GaAsBi
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A1. High resolution X-ray diffraction - A1 پراش اشعه ایکس با وضوح بالاA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیB1. Bismuth compounds - B1 ترکیبات بیسموتB2. Semiconducting ternary compounds - B2 ترکیبیات ترمیمی نیمه هادیB3. Infrared devices - B3 دستگاه های مادون قرمزB3. Heterojunction semiconductor devices - B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Influence of growth conditions on the structural and opto-electronic quality of GaAsBi Influence of growth conditions on the structural and opto-electronic quality of GaAsBi](/preview/png/5489180.png)
چکیده انگلیسی
A systematic series of GaAsBi pin diodes was grown by MBE using different growth temperatures and Bi fluxes, to study the effect on the structural and opto-electronic properties of GaAsBi. The Bi contents of the diodes show both growth temperature and Bi flux dependences. The diodes grown at higher temperatures show evidence of long range inhomogeneity from X-ray diffraction (XRD) measurements, whereas samples of comparable Bi content grown at lower temperatures appear to have well defined, uniform GaAsBi regions. However, the high temperature grown diodes exhibit more intense photoluminescence (PL) and lower dark currents. The results suggest that growth temperature related defects have a greater influence on the dark current than bismuth related defects, and therefore GaAsBi devices should be grown at the highest temperature possible for the desired Bi content.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 139-143
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 139-143
نویسندگان
T.B.O. Rockett, R.D. Richards, Y. Gu, F. Harun, Y. Liu, Z. Zhou, J.P.R. David,