کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829872 | 1524499 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GSMBE growth and structural characterisation of SiGeC layers for HBT
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
85.30.PqA2. X-ray diffraction81.15.HjA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیB1. germanium silicon alloys - B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیومB2. Semiconducting silicon compounds - B2 ترکیبات نیمه رسانای سیلیکونیB3. Heterojunction semiconductor devices - B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوند
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Gas source molecular beam epitaxy is used for the growth of SiGeC layers from disilane, germane and methylsilane precursors at low substrate temperatures. A systematic method of carbon concentration determination based on a combination of X-ray diffraction and X-ray reflectivity is examined. The grown layers were annealed using rapid thermal annealing and analysed with X-ray diffraction, X-ray reflectivity and secondary ion mass spectrometry. The recovery of compressive strain in the SiGeC layer is correlated to the loss of carbon through diffusion and indicates that the carbon atoms are incorporated substitutionally in the as-grown layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 505-511
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 278, Issues 1â4, 1 May 2005, Pages 505-511
نویسندگان
J. Zhang, J.H. Neave, X.B. Li, P.F. Fewster, H.A.W. El Mubarek, P. Ashburn, I.Z. Mitrovic, O. Buiu, S. Hall,