کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8151179 | 1524436 | 2014 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling and process control of MOCVD growth of InAlGaAs MQW structures on InP
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
A3. Organometallic vapor phase epitaxy - A3 اپیتاکسی فاز بخار آلومینیومA3. Metalorganic chemical vapor deposition - A3 رسوبات بخار شیمیایی فلزاتA3. Quantum wells - A3 چاه های کوانتومیB2. Semiconducting III–V materials - B2 مواد نیمه هادی III-VB3. Heterojunction semiconductor devices - B3 دستگاه های نیمه هادی تقسیم می شوندB3. Laser diodes - B3 دیودهای لیزری
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have developed a model which integrates calculation of InAlGaAs multiple quantum well (MQW) transition energies using the envelope function approximation with a statistical analysis of the PL emission wavelength, net strain and MQW period measured for a variety of MQW designs grown by MOCVD. The model relates the measured MQW parameters directly to MOCVD process parameters, allowing an accurate prediction of the process parameters required to grow a specified MQW design. This greatly reduces the need to grow and characterize individual calibration layers. The difference of the measured and predicted MQW parameters is recorded run-to-run over time, which allows process variability to be analyzed across a number of process parameters with intentional variations to grow different MQW designs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 393, 1 May 2014, Pages 81-84
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 393, 1 May 2014, Pages 81-84
نویسندگان
O.J. Pitts, W. Benyon, A.J. SpringThorpe,