کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829713 | 1524497 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of InN on Ge substrate by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
InN epitaxial growth on a (1 1 1)-oriented, Ga-doped germanium substrate using molecular beam epitaxy is described. X-ray diffraction and transmission electron microscopy investigations have shown that the InN epitaxial layer consists of a wurtzite structure, which has the epitaxial relationship of (0 0 0 1)InNâ¥(1 1 1)Ge. Transmission electron microscopy shows an intermediate layer at the interface between the InN/Ge substrate. Consistent with recent reports implying a narrow bandgap of InN [Phys. Stat Sol. B 229 (2002) R1, Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 3967], a strong photoluminescence with peak energy of 0.69 eV at 15 K was observed for this InN epilayer, in contrast to the peak energy of 0.71 eV for Ga-doped Ge under the same measurement conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 279, Issues 3â4, 1 June 2005, Pages 311-315
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 279, Issues 3â4, 1 June 2005, Pages 311-315
نویسندگان
Elaissa Trybus, Gon Namkoong, Walter Henderson, W. Alan Doolittle, Rong Liu, Jin Mei, Fernando Ponce, Maurice Cheung, Fei Chen, Madalina Furis, Alexander Cartwright,