دانلود مقالات ISI درباره A3. Metal Organic Vapour Phase Epitaxy + ترجمه فارسی

AP-MOVPE GaInSb: Influence of V/III ratio on quality and indium incorporation

Keywords: A2. Growth from vapour; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of (BGa)As, (BGa)P, (BGa)(AsP) and (BGaIn)P by MOVPE

Keywords: A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B2. Semiconducting III/V systems; B2. Semiconducting dilute boride III/V systems

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

2 dimensional electron gas uniformity of GaN HFET layers on SiC

Keywords: A1. Characterisation; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V Materials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

The impact of hydrogen on indium incorporation and surface accumulation in InAlN epitaxy

Keywords: A1. Surface structure; A1. Atomic force microscopy; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

MOVPE growth and properties of light emitting diodes with an incorporated InMnAs ferromagnetic layer

Keywords: A3. Metal organic vapour phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The effects of varying metal precursor fluxes on the growth of InAlN by metal organic vapour phase epitaxy

Keywords: A1. Atomic force microscopy; A1. Surface structure; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

GaP-nucleation on exact Si (0 0 1) substrates for III/V device integration

Keywords: B2. Semiconducting III/V systems; B2. Semiconducting silicon; A3. Metal organic vapour phase epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Morphology transition of one-dimensional ZnO grown by metal organic vapour phase epitaxy on (0 0 0 1)-ZnO substrate

Keywords: 81.15.Gh; 81.05.Dz; A1. Growth models; A1. One-dimensional ZnO; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of various antimony-containing alloys by MOVPE

Keywords: A1. Characterization; A1. Crystal structure; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Relaxation of compressively strained AlInN on GaN

Keywords: 81.05.Ea; 82.80.Yc; 61.85.+p; 61.10.NzA1. Characterization; A1. Stresses; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Modelling and simulation of MOVPE of GaAs-based compound semiconductors in production scale Planetary Reactors

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.15.Gh; 81.15.Kk; 82.20.Wt; 82.33.YaA1. Computer simulation; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; A3. Planetary reactor; B1. Gallium arsenide; B1. Phosphides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Morphology of interior interfaces in the novel dilute nitride Ga(NAsP)/GaP material system

Keywords: 42.55.Px; 68.37.−d; 68.37.Ps; 68.65.−k; 78.55.Cr; 78.67.De; 81.15.Kk; A1. Atomic force microscopy; A1. Interfaces; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solid-state lasers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه