کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791938 | 1023626 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
2 dimensional electron gas uniformity of GaN HFET layers on SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠GaN HFETS on SiC substrates are investigated using full wafer imaging techniques. ⺠Defects in SiC are shown to have a limited impact on the 2DEG properties. ⺠Non-uniformity in the 2DEG are related to variations in the SiC substrate off-cut angle.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 338, Issue 1, 1 January 2012, Pages 125-128
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 338, Issue 1, 1 January 2012, Pages 125-128
نویسندگان
D.J. Wallis, P.J. Wright, D.E.J. Soley, L. Koker, M.J. Uren, T. Martin,