![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Selective-area growth of pulse-doped InAs nanowires on Si and vertical transistor application
Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nanomaterials; B3. Field effect transistors;