دانلود مقالات ISI درباره B3 ترانزیستورهای اثر میدان + ترجمه فارسی

Selective-area growth of pulse-doped InAs nanowires on Si and vertical transistor application

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Nanomaterials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

InP nanowire p-type doping via Zinc indiffusion

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Annealing; A1. Doping; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A1. Diffusion; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

High hole mobility InGaSb/AlSb QW field effect transistors grown on Si by molecular beam epitaxy

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

InAs nanowires with AlxGa1−xSb shells for band alignment engineering

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides; B1. Nanomaterials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Strained InGaAs/InAlAs quantum wells for complementary III-V transistors

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting In compounds; B3. Field effect transistors; B3. High electron mobility transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Molecular orientation transformation of pentacene on amorphous SiO2: A computational study on the initial growth stage of physical vapor deposition

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Computer simulation; A1. Growth models; B3. Field effect transistors; B1. Organic compounds (pentacene); A3. Physical vapor deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Temperature-dependent orientation study of the initial growth of pentacene on amorphous SiO2 by molecular dynamics simulations

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Computer simulation; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Organic compounds (pentacene); B3. Field effect transistors; (Substrate temperature);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Anisotropic bow and plastic deformation of GaN on silicon

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Substrates stresses; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of pentacene crystallinity control layers for high mobility organic field-effect transistors based on benzodithiophene-dimer films

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Atomic force microscopy; A3. Physical vapor deposition processes; B1. Organic compounds; B2. Semiconducting organic material; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Formation of compressively strained SiGe/Si(110) heterostructures and their characterization

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting Si compounds; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

2 dimensional electron gas uniformity of GaN HFET layers on SiC

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Characterisation; A3. Metal organic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V Materials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Selective area molecular beam epitaxy of InAs on GaAs (110) masked substrates for direct fabrication of planar nanowire field-effect transistors

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Optimization of thermal treatment of vapor-deposited thiophene/phenylene co-oligomer films

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Crystal morphology; A2. Growth from vapor; A3. Polycrystalline deposition; B1. Organic compounds; B3. Field effect transistors; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Transport properties of Sb-doped Si nanowires

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Low interfacial density of states around midgap in MBE-Ga2O3(Gd2O3)/In0.2Ga0.8As

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arcsenide; B2. Dielectric materials; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Low-temperature soluble InZnO thin film transistors by microwave annealing

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Microwave annealing; B1. Zinc compounds; B2. Oxide semiconducting materials; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Oxygen content increasing mechanism in Czochralski (CZ) silicon crystals doped with heavy antimony under a double-typed heat shield

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Heat transfer; A1. Solubility; A2. Czochralski method; A2. Fluid flows; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Mixed-phase solidification of thin Si films on SiO2

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Defects; A1. Recrystallization; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Low temperature Si homo-epitaxy by reduced pressure chemical vapor deposition using dichlorosilane, silane and trisilane

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A1. Crystal structure; A1. Desorption; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Improvement of thickness uniformity of bulk silicon wafer by numerically controlled local wet etching

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; 81.65.Cf; 81.65.Ps; 85.30.−zA1. Etching; A1. Substrates; A1. Surface processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned Si(1 1 0) substrates

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; 68.55.agA3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting Si compounds; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

III–V epitaxy on Si for photonics applications

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Equilibrium strain-energy analysis of coherently strained core–shell nanowires

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; 61.46.Km; 61.72.uf; 62.20.DA1. Stresses; A3. Solid phase epitaxial; B2. Semiconductor materials; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Crystallographic and electric properties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(0 0 1) substrates

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; 61.14.Lj; 68.37.Ps; 68.55.Jk; 81.15.Gh; 85.30.TvA1. Characterization; A1. Substrates; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Fabrication of organic thin film transistor with MICB-deposited PI insulation layer

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; 72.80.Le.; 73.61.PhA1. Interfaces; A1. Morphological stability; A3. Migration enhanced epitaxy; B1. Organic compounds; B1. Polymers; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of ZnO nanorods via metalorganic chemical vapor deposition and their electrical properties

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; 81.07.Bc; 85.30.Tv; 61.46.+w; 73.63.Bd; 81.15.GhA1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Zinc oxide; B2. Semiconducting II–VI materials; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Bandgap engineering of electronic and optoelectronic devices on native AlN and GaN substrates: A modelling insight

Keywords: B3 ترانزیستورهای اثر میدان; 81.05.Ea; 85.60.Bt; 85.30.Tv; 85.60.Jb; B1. Nitrides; B3. Field effect transistors; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه