کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796583 | 1023749 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystallographic and electric properties of MOVPE-grown AlGaN/GaN-based FETs on Si(0 0 1) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present AlGaN/GaN-based FETs on Si(0 0 1) grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). The influence of the substrate off-orientation on the crystallographic quality is investigated by spatially resolved electron backscatter diffraction. A stringent correlation of the surface morphology of GaN layers grown on differently misoriented Si(0 0 1) with two different in-plane alignments of adjacent GaN crystallites is observed. On a 2.5 μm thick single-crystalline and crack-free GaN-based buffer layer structure, an AlGaN/GaN FET heterostructure was realized. A drain–source current of 245 mA/mm with a transconductance of 90 mS/mm was achieved.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 299, Issue 2, 15 February 2007, Pages 399–403
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 299, Issue 2, 15 February 2007, Pages 399–403
نویسندگان
F. Schulze, O. Kisel, A. Dadgar, A. Krtschil, J. Bläsing, M. Kunze, I. Daumiller, T. Hempel, A. Diez, R. Clos, J. Christen, A. Krost,