کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150081 | 1524404 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High hole mobility InGaSb/AlSb QW field effect transistors grown on Si by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Growth of InGaSb/AlSb high hole mobility quantum well field effect transistors (QW FETs) on Si substrates with a step-graded GaAsSb metamorphic buffer layer by molecular beam epitaxy is explored. With an optimized growth temperature for the InGaSb/AlSb QW, hole mobility of 770Â cm2/VÂ s and 3060Â cm2/VÂ s have been achieved at room temperature and 77Â K, respectively. It is also found that the twins in the samples do not cause significant anisotropic behavior of the InGaSb QW FETs in term of gate direction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 385-388
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 385-388
نویسندگان
Pei-Chin Chiu, Hsuan-Wei Huang, Wei-Jen Hsueh, Yu-Ming Hsin, Cheng-Yu Chen, Jen-Inn Chyi,