![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Halide vapor phase epitaxy of Si doped β-Ga2O3 and its electrical properties
Keywords: خواص الکترونیکی; Halide vapor phase epitaxy; Homoepitaxy; β-Ga2O3; Hall measurement; Electronic properties;