Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Aerosol deposition; Barium titanate; Sulfur hexafluoride; Inductively coupled plasma reactive ion etching
مقالات ISI اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Investigation on etching characteristics of Pd thin films using CH3COOH/Ar gas
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Palladium; CH3COOH; Inductively coupled plasma reactive ion etching;
Anisotropic etching of CoFeB magnetic thin films in C2H5OH/Ar plasma
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Cobalt iron boron; Thin films; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Ethanol; Magnetic random access memory;
Etch characteristics of Ru thin films using O2/Ar, CH4/Ar, and O2/CH4/Ar plasmas
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Ru thin films; Magnetic tunnel junction; O2/Ar, CH4/Ar, O2/CH4/Ar
Highly anisotropic etching of Ta thin films using high density plasmas of halogen based gases
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Ta thin film; Inductively coupled plasma reactive ion etching; C2F6 gas; Cl2 gas; HBr gas: etch profile; Anisotropy;
High density plasma reactive ion etching of Ru thin films using non-corrosive gas mixture
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Ru thin films; Inductively coupled plasma reactive ion etching; CH3OH/Ar gas; Magnetic tunnel junction
Dry etching of Co2MnSi magnetic thin films using a CH3OH/Ar based inductively coupled plasma
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Co2MnSi thin film; Magnetic tunnel junction; Inductively coupled plasma reactive ion etching; CH3OH/Ar gas; Heusler alloy
Inductive couple plasma reactive ion etching characteristics of TiO2 thin films
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Titanium dioxide; Thin films; Inductively coupled plasma reactive ion etching; HBr/Ar gas; Cl2/Ar gas; C2F6/Ar gas; Hard mask
Inductively coupled plasma reactive ion etching of CoFeB magnetic thin films in a CH3COOH/Ar gas mixture
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; CoFeB thin film; Inductively coupled plasma reactive ion etching; CH3COOH gas; Magnetic random access memory
Defined micropatterns of platinum thin films by inductively coupled plasma etching using SF6/Ar/O2 mixture gas
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Micropatterning; Platinum electrode; Inductively coupled plasma reactive ion etching
Investigation on etch characteristics of FePt thin films using a H2O/Ar plasma
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; FePt thin films; Magnetic tunnel junction; Inductively coupled plasma reactive ion etching; H2O/Ar gas;
Inductively coupled plasma reactive ion etching of magnetic tunnel junction stacks using H2O/CH4 mixture
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Magnetic random access memory; Magnetic tunnel junction stack; Inductively coupled plasma reactive ion etching; H2O/CH4/Ar
Etch characteristics of CoFeB magnetic thin films using high density plasma of a H2O/CH4/Ar gas mixture
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; CoFeB magnetic thin films; Magnetic tunnel junction; MRAM; Inductively coupled plasma reactive ion etching; H2O/CH4 gas
Inductively coupled plasma reactive ion etching of IrMn magnetic thin films using a CH4/O2/Ar gas
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; IrMn thin films; CH4/O2/Ar gas; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Magnetic tunnel junction;
High density plasma reactive ion etching of CoFeB magnetic thin films using a CH4/Ar plasma
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; CoFeB thin films; Ti hard mask; Magnetic tunnel junction; Inductively coupled plasma reactive ion etching; CH4/O2/Ar gas
Inductively coupled plasma reactive ion etching of FePt magnetic thin films in a CH4/O2/Ar plasma
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Iron platinum; Thin films; Titanium nitride hard mask; Magnetic tunnel junction; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Methane; Oxygen; Argon
Influence of twice-deposited etching mask layers on verticality of nanostructures
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Twice deposited mask; Focused ion beam; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Vertical nanostructures; Silicon dioxide
Investigation on etch characteristics of MgO thin films using a HBr/Ar plasma
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; MgO thin films; Ti hard mask; Magnetic tunnel junction; Inductively coupled plasma reactive ion etching; HBr/Ar gas
Fabrication of moth eye structures via charged nanoparticle lithography with size and density control
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Moth eye structures; Gallium nitride; Gold nanoparticles; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Reflectance
Evolution of etch profile in etching of CoFeB thin films using high density plasma reactive ion etching
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; CoFeB magnetic film; Inductively coupled plasma reactive ion etching; CH3OH/Ar; Ti hard mask
Etch characteristics of FePt magnetic thin films using inductively coupled plasma reactive ion etching
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; FePt thin films; TiN hard mask; Magnetic tunnel junction; Inductively coupled plasma reactive ion etching; CH3OH/Ar gas
Etch characteristics of IrMn thin films using an inductively coupled plasma of CH3OH/Ar
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; IrMn; Inductively coupled plasma reactive ion etching; CH3OH/Ar; Ti hard mask
Inductively coupled plasma reactive ion etching of titanium thin films using a Cl2/Ar gas
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Titanium; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Cl2/Ar; Hard mask
Etch characteristics of magnetic tunnel junction stack with nanometer-sized patterns for magnetic random access memory
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Magnetic random access memory; MTJ stack; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Cl2/Ar; BCl3/Ar
Inductively coupled plasma reactive ion etching of titanium nitride thin films in a Cl2/Ar plasma
Keywords: اچینگ واکنش پذیر یونی پلاسما به صورت القا شده; Titanium nitride; Inductively coupled plasma reactive ion etching; Cl2/Ar plasma