دانلود مقالات ISI درباره تراکم حالت رابط + ترجمه فارسی

High-mobility pentacene phototransistor with nanostructured SiO2 gate dielectric synthesized by sol–gel method

Keywords: تراکم حالت رابط; Organic semiconductor; Pentacene; Phototransistor; Nanostructured SiO2 insulating gate; Sol–gel method; Thin film phototransistor; Interface state density

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Electrical and interface state density properties of polyaniline–poly-3-methyl thiophene blend/p-Si Schottky barrier diode

Keywords: تراکم حالت رابط; Ideality factor; Organic conducting polymer; Schottky barrier height; Series resistance; Interface state density

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

A comparative study on the electrical characteristics of Au/n-Si structures with anatase and rutile phase TiO2 interfacial insulator layer

Keywords: تراکم حالت رابط; TiO2; DC magnetron sputtering; Electrical characterization; Interface state density; Series resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Experimental characterization of the subthreshold leakage current in triple-gate FinFETs

Keywords: تراکم حالت رابط; Interface state density; FinFET; Leakage current; Tunneling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Analysis of interface states of the pentacene organic thin-film phototransistor by conductance technique

Keywords: تراکم حالت رابط; Organic semiconductor; Thin-film transistor; Interface state density

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Optical and electrical characterizations of 4H-SiC-oxide interfaces by spectroscopic ellipsometry and capacitance-voltage measurements

Keywords: تراکم حالت رابط; 71.20.Nr; 73.20. −r; 73.40.Qv; 73.61.Ng; 78.20.Ci; 78.66.Nk; 4H-SiC; Spectroscopic ellipsometry; C-V measurements; Dry and wet oxidation; 4H-SiC-oxide interface; Interface state density;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

High frequency characteristics of tin oxide thin films on Si

Keywords: تراکم حالت رابط; MOS diodes; SnO2; Series resistance; Interface state density

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Studying the impact of carbon on device performance for strained-Si MOSFETs

Keywords: تراکم حالت رابط; Strained-Si:C; Mobility; Strain; Alloy scattering; Interface state density; SiGe buffer; Carbon; Transmission electron microscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Passivation of structured p-type silicon interfaces: Effect of surface morphology and wet-chemical pre-treatment

Keywords: تراکم حالت رابط; 73.20.Hb; 81.65.Cf; 81.65.Rv; 78.55.−m; 68.37.Ps; 68.37.−d; 84.60.Jt; 84.37.+q; 89.30.Cc 73.40.Lq 73.40.−c; Silicon substrates; Wet-chemical pre-treatment; Interface state density; Recombination loss; a-Si:H/c-Si hetero-junction solar cells; Electri

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Investigation of diode parameters using I–V and C–V characteristics of In/SiO2/p-Si (MIS) Schottky diodes

Keywords: تراکم حالت رابط; MIS Schottky diodes; Insulator layer; I–V; C–V; Frequency dependence; Series resistance; Interface state density

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Wet-chemical passivation of atomically flat and structured silicon substrates for solar cell application

Keywords: تراکم حالت رابط; 73.20.Hb; 81.65.Cf; 81.65.Rv; 78.55.−m; 68.37.Ps; 68.37.−d; 84.60.Jt; 84.37.+q; 89.30.Cc; 73.40.Lq; 73.40.−c; Silicon substrates; Interface state density; Recombination loss; Wet-chemical pre-treatment; a-Si:H/c-Si hetero-junction solar cells; Elect

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Determination of the interface state density of the In/p-Si Schottky diode by conductance and capacitance–frequency characteristics

Keywords: تراکم حالت رابط; 73.40.Sx; 73.20.At; 73.30.+y; 73.40.−cSchottky diode; Interface state density; Conductance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

The conductance and capacitance-frequency characteristics of Au/pyronine-B/p-type Si/Al contacts

Keywords: تراکم حالت رابط; 73.61.Ph; 73.40.Lq; 73.40.Ei; 73.40.Qv; 73.40.Ty; 73.40.Rw; 73.40.Ns; 73.30.+y; 61.82.Fk; Metal-organic-semiconductor contact; Schottky barrier; Interfacial layer; Interface state density; Capacitance-conductance characteristics;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

On the interface trap density and series resistance of tin oxide film prepared on n-type Si (1 1 1) substrate: Frequency dependent effects before and after 60Co γ-ray irradiation

Keywords: تراکم حالت رابط; 61.80.Ed; 61.80.−x; 73.20.At; 73.40.Qv; 84.37.+qMOS diodes; SnO2; 60Co γ-ray; C–V; G–V; Series resistance; Interface state density

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

60Co γ-ray irradiation effects on the interface traps density of tin oxide films of different thicknesses on n-type Si (1 1 1) substrates

Keywords: تراکم حالت رابط; 61.80.Ed; 61.80.−x; 73.20.At; 73.40.Qv; 84.37.+qMOS diodes; SnO2; 60Co γ-ray; C–V; G–V; Series resistance; Interface state density

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

On the profile of frequency and voltage dependent interface states and series resistance in MIS structures

Keywords: تراکم حالت رابط; 73.30.+y: 73.40.Qv: 73.40.NsMIS structure; Electrical properties; Interface state density; Series resistance; Excess capacitance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Barrier height modification of Au/n-Si Schottky structures by swift heavy ion irradiation

Keywords: تراکم حالت رابط; 61.80.Jh; 73.30.+y; 73.40.−c; Swift heavy ion irradiation; Schottky barrier diode; I-V measurement; Interface state density; Electronic and nuclear energy loss;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Low-temperature conductance measurements of surface states in HfO2–Si structures with different gate materials

Keywords: تراکم حالت رابط; High-k dielectrics; Gate stack; Interface state density; G/ω measurements

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of silicidation on the electrical characteristics of polycrystalline-SiGe Schottky diode

Keywords: تراکم حالت رابط; Schottky diode; Poly-SiGe; Interface state density

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optimization of electric properties of high-k zirconium dioxide by varying deposition and annealing conditions

Keywords: تراکم حالت رابط; ZrO2; High-k; Interface state density; Leakage current

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Characterization of interface state densitiesby photocurrent analysis: comparison of results for different insulator layers

Keywords: تراکم حالت رابط; interface state density; interface recombination velocity; injection level dependent interface recombination; interface recombination modeling; carrier lifetime; electrostatic passivation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of annealing on interface state density of Ni-silicided/Si1−xGex Schottky diode

Keywords: تراکم حالت رابط; Schottky diode; Ni-silicide/germanosilicide; Annealing; Interface state density;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Phosphorous passivation of In0.53Ga0.47As using MOVPE and characterization of Au-Ga2O3(Gd2O3)-In0.53Ga0.47As MIS capacitor

Keywords: تراکم حالت رابط; In0.53Ga0.47As; Surface passivation; Interface state density; XPS; C-V measurement;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The effect of native oxide layer on some electronic parameters of Au/n-Si/Au-Sb Schottky barrier diodes

Keywords: تراکم حالت رابط; 73.20.−r; 73.30.+y; 73.40.Sx; Schottky barrier; Series resistance; Interfacial layer; Interface state density; Ohmic contact; Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characteristics of 4H-SiC MOS interface annealed in N2O

Keywords: تراکم حالت رابط; Silicon carbide; Oxidation; Nitridation; Channel mobility; Interface state density; MOSFET;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Temperature and frequency dependent electrical and dielectric properties of Al/SiO2/p-Si (MOS) structure

Keywords: تراکم حالت رابط; MOS structure; Electrical and dielectric properties; Conductivity; Series resistance; Interface state density;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه