دانلود مقالات ISI درباره حاشیه سر و صدا + ترجمه فارسی

طراحی دروازه های منطقی چند متغیر با استفاده از ورودی دروازه انتشار برای برنامه های کاربردی پردازش تصویر

Design of multiple-valued logic gates using gate-diffusion input for image processing applications

Keywords: حاشیه سر و صدا; Gate-diffusion input (GDI) technique; Carbon nano-tube (CNT) field effect transistor (CNTFET); Multiple-valued logic (MVL); Process, voltage and temperature (PVT) variations; Noise margin; Image processing; Peak signal-to-noise ratio (PSNR);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

توسعه یک شبیه ساز برای تجزیه و تحلیل برخی از پارامترهای عملکرد مبدل های CMOS مبتنی بر MOSFET سیلیکون کششی در مقیاس نانو

Development of a simulator for analyzing some performance parameters of nanoscale strained silicon MOSFET-based CMOS inverters

Keywords: حاشیه سر و صدا; CMOS; MOSFET; Noise margin; Strain; S/D series resistance; Voltage transfer characteristics (VTC)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Device and circuit performance of Si-based accumulation-mode CGAA CMOS inverter

Keywords: حاشیه سر و صدا; AM-CGAA; CMOS; Circuit delay; Noise margin; Logic circuits; Mixed−Mode simulation; VTC; Transient response;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Performance of AlGaInP/InGaAs enhancement/depletion-mode pseudomorphic doping-channel field-effect transistors

Keywords: حاشیه سر و صدا; AlGaInP/InGaAs; Enhancement/depletion-mode; Doping-channel field-effect transistor; Logic; Noise margin

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Design and analysis of noise margin, write ability and read stability of organic and hybrid 6-T SRAM cell

Keywords: حاشیه سر و صدا; All-p organic SRAM; Hybrid SRAM; Noise margin; Organic complementary SRAM; Read stability; Write access time;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Vertically stacked hybrid organic–inorganic complementary inverters with low operating voltage on flexible substrates

Keywords: حاشیه سر و صدا; Thin-film transistors; Vertically stacked complementary inverter; Pentacene; Indium gallium zinc oxide; Noise margin

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Flexible hybrid complementary inverters with high gain and balanced noise margins using pentacene and amorphous InGaZnO thin-film transistors

Keywords: حاشیه سر و صدا; Thin-film transistors; Complementary inverter; Pentacene; Indium gallium zinc oxide; Noise margin

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Microwave complementary doped-channel field-effect transistors

Keywords: حاشیه سر و صدا; Complementary; Inverter; InGaP/InGaAs/GaAs; Doped-channel; Field-effect transistors; Confinement effect; Noise margin

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Modeling and analysis of energy quantization effects on single electron inverter performance

Keywords: حاشیه سر و صدا; 73.23Hk; 73.63.−b; 85.35.Gv; Single electron transistor; Energy quantization; Logic inverter; Noise margin;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Characteristics of InGaP/InGaAs complementary pseudomorphic doped-channel HFETs

Keywords: حاشیه سر و صدا; InGaP/InGaAs; Complementary; Pseudomorphic; Doped-channel HFET; Saturation voltage; Noise margin

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Temperature-dependent characteristics of enhancement-/depletion-mode double δ-doped AlGaAs/InGaAs pHEMTs and their monolithic DCFL integrations

Keywords: حاشیه سر و صدا; Enhancement-mode; Depletion-mode; DCFL; Monolithic inverter; Power-dissipation; Noise margin;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه