![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
The influence of dilution of the reactive gases in argon on electro-physical properties of ultra-thin silicon oxynitride layers formed by PECVD
Keywords: اکسن نیترید; Ultra-thin dielectrics; Oxynitride; CMOS; PECVD